电路电子技术习题4.pdf

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电路电子技术习题 4 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 ,导通后在较大电流下的正向压降约为 ;锗二极管的门槛电压约 为 ,导通后在较大电流下的正向压降约为。 2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。PN结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽 层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分, 其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下 工作的电子电路及其技术,称为 模拟 电子技术。 6、 PN结反向偏置时, PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压 Vth 约为 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、 P 型半导体的多子为 空穴 、 N 型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空 穴对 。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空穴( P) 半导体和 电子( N) 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ,它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反 映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 输出随频率连续变化的稳态响应 。 15、 N 型半导体中的多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种 基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容,影响高频信号放大的是 结 电容。 18、在 NPN三极管组成的基本共射放大电路中, 如果电路的其它参数不变, 三极管的β增加, 则 I BQ 增大 , CQ CEQ I 增大 ,U 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 , 饱和 , 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合 方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 Va = , V b = , Vc = , 试问该三极管是 硅 管 管(材料), NPN 型的三极管,该管的集电极是 a 、b、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ,总的电压放大倍数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是: 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管,测 a b c 得管脚电压 V = -1V ,V =, V =, 这是 硅 管 (硅、锗), NPN 型,集电极管脚是 a 。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为: 阻容 (RC)耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合 _ ,

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