《模拟电子技术基础》3版ppt Chapter2 2.3　场效应管及其应用与分析.pptxVIP

2.3 场效应管及其应用与分析;场效应管概述;一、N 沟道增强型 MOSFET;一、N 沟道增强型 MOSFET;2. 工作原理;2. 工作原理;（1) uGS 对输出电流iD 的控制作用;（2）uDS 对输出电流 iD的控制作用;（2）uDS 对输出电流 iD的控制作用;（2）uDS 对输出电流 iD的控制作用;（2）uDS 对输出电流 iD的控制作用;（2）uDS 对输出电流 iD的控制作用;(1) 输出特性;（2) 转移特性;（2) 转移特性;（2) 转移特性;二、N 沟道耗尽型 MOSFET;1. 结构、符号与工作原理;Ｏ;P 沟道增强型;MOSFET 伏安特性的比较;MOSFET 伏安特性的比较;;三、伏安特性;例;;;作业： P99~ 2.9a b 2.10c d;3. 直流输入电阻 RGS;4. 低频跨导 gm ;5. 漏源动态电阻 rds;*FET小结;FET小结;*FET小结;2.3.4 场效应管基本应用电路及其分析方法;一、场效应管基本放大电路工作原理;二、场效应管的小信号模型;例1;例1 解续：;例2;;例2 解续：;2.3 复习要点; 场效应管的符号、伏安特性、工作电压极性、主 要参数、小信号模型。;作业：;　　试比较FET和BJT在正向控制作用、伏安特性、 放大区偏置电压要求、主要参数、基本应用电路、 简化小信号模型、分析方法等方面的异同。 ;讨论小结;讨论小结 续;讨论小结 续