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学习必备佳构知识点模电温习资料第一章半导体二极管一. 半导体得根底知识1. 半导体--- 导电本领介于导体与绝缘体之间得物质( 如硅 Si 、锗 Ge);2. 特性 --- 光敏、热敏与掺杂特性;3.
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佳构知识点
模电温习资料
第一章
半导体二极管
一. 半导体得根底知识
1. 半导体
--- 导电本领介于导体与绝缘体之间得物质
( 如硅 Si 、锗 Ge);
2. 特性 --- 光敏、热敏与掺杂特性;
3. 本征半导体 ----
纯洁得具有单晶体布局得半导体;
4. 两种载流子
---- 带有正、负电荷得可移动得空穴与电子统称为载流子;
5. 杂质半导体 -- 在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导体;表达得为半导体得掺杂特性;
*P 型半导体 :
*N 型半导体 :
在本征半导体中掺入微量得三价元素〔多子为空穴,少子为电子〕
在本征半导体中掺入微量得五价元素〔多子为电子,少子为空穴〕
;
;
6. 杂质半导体得特性
* 载流子得浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关;
* 体电阻 --- 通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻;
* 转型 --- 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为别的一种杂质半导体;
7. PN 结
* PN 结得打仗电位差
* PN 结得单领导电性
8. PN 结得伏安特性
--- 硅质料约为
0.6~0.8V ,锗质料约为
0.2~0.3V ;
--- 正偏导通,反偏停止;
二.
*
*
*
*
半导体二极管
单领导电性 ------
二极管伏安特性
正领导通,反向停止;
同PN结;
硅管 0.6~0.7V ,锗管 0.2~0.3V ;
----
正领导通压降
------
死区电压
------ 硅管 0.5V ,锗管 0.1V ;
3. 阐发要领
------ 将二极管断开,阐发二极管两头电位得上下
:
设 V
阳 V 阴( 正偏 ) ,二极管导通 ( 短路 );
设 V 阳 V 阴 ( 反偏 ) ,二极管停止 ( 开路 ) ;
1〕图解阐发法
该式与伏安特性曲线
得交点叫静态事情点
Q;
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学习必备佳构知识点2) 等效电路法直流等效电路法* 总得解题本领---- 将二极管断开,阐发二极管两头电位得上下:设设V 阳V
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佳构知识点
2) 等效电路法
直流等效电路法
* 总得解题本领
---- 将二极管断开,阐发二极管两头电位得上下
:
设
设
V 阳
V 阳
阴 ( 正偏
阴 ( 反偏
) ,二极管导通
) ,二极管停止
( 短路 );
( 开路 ) ;
V
V
* 三种模子
微变等效电路法
三. 稳压二极管及其稳压电路
* 稳压二极管得特性
向毗连;
--- 正常事情时处在
PN结得反向击穿区,以是稳压二极管在电路中要反
第二章
三极管得布局、范例及特点
三极管及其根本放大电路
一.
1. 范例
2. 特点
--- 分为 NPN与 PNP两种;
--- 基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区打仗 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区打仗面积较大;
二.
三极管得事情原理
1. 三极管得三种根本组态
第 2 页,共 26 页
学习必备佳构知识点2. 三极管内各极电流得分派* 共发射极电放逐大系数说明三极管为电流控制器件(式子称为穿透电流;3. 共射电路得特性曲线* 输入特性曲线 --- 同二极管;* 输出特性曲线(
学习必备
佳构知识点
2. 三极管内各极电流得分派
* 共发射极电放逐大系数
说明三极管为电流控制器件
(
式子
称为穿透电流;
3. 共射电路得特性曲线
* 输入特性曲线 --- 同二极管;
* 输出特性曲线
( 饱与管压降,用
UCES表现
放大区
停止区
--- 发射结正偏,集电结反偏;
--- 发射结反偏,集电结反偏;
4. 温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动;
温度升高 I
CBO、 CEO 、
I
I C以及 β 均增长;
三. 低频小信号等效模子〔简化〕
hie --- 输出端交换短路时得输入电阻, 常用 r be 表现;
hfe --- 输出端交换短路时得正向电传播输比, 常用 β 表现;
四.
根本放大电路构成及其原就
1. VT 、
VCC、 Rb、 Rc
、 C1、 C2 得作用;
2. 构成原就 ---- 能放大、不失真、能传输;
五.
放大电路得图解阐发法
1. 直流畅路与静态阐发
* 观点 ---
* 画法 ---
* 作用 ---
直流电流畅得回路;
电容视为开路; 确定静态事情点
* 直流负载线 --- 由 VCC=I CRC+UCE 确定得直线;
* 电路参数对静态事情点得影响
第 3
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