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第1章半导体基础及常用器件9击穿只发生在特殊的PN结上。（1）雪崩击穿当PN结反向电压增加时，PN结内电场随之增强。在强电场作用下，少子漂移速度加快，动能增大，致使它们在快速漂移运动过程中与中
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