硅烷法多晶硅制备技术.pptxVIP

硅烷法多晶硅制备技术 硅烷法多晶硅生产工艺的优势 耗电低。硅烷的分解温度为800℃，而主流的三氯氢硅法反应温度在1150℃左右,故还原电耗较低。 硅烷容易分解，材料利用率高。污染小。与多晶硅制备的主流工艺相比较不含氯化物，生产过程不副产氯化氢，三废排放少，对环境影响小； 尾气易处理。硅烷法所产生的尾气主要是氢气和少量未反应硅烷，两者都可经过适当的手段进行分离、可循环再用； 硅烷易提纯，为制备电子级高纯多晶硅创造了条件。 硅烷法多晶硅还原工艺可以进一步升级为流化床工艺，使多晶硅还原电耗降低到10—15千瓦时/公斤 硅烷法多晶硅生产技术 四氟化硅制备 四氢化铝钠制备 硅烷制备 多晶硅制备 四氟化铝钠干燥 硅烷提纯 硅烷充装 作为副产品 对外销售 作为主要产品 对外销售 作为主要产品 对外销售 四氟化硅（STF）的制备 以廉价的氟化钙、硫酸、石英砂和氟化氢等为主要原料来制备四氟化硅，制备过程分为两步进行。第一步氟化钙和硫酸在反应炉中反应生成氟化氢气体，冷凝成液体备用；第二步石英砂和氟化氢在硫酸的介质中反应生成四氟化硅（STF）气体。 四氢化铝钠（SAH）的制备 四氢化铝钠（SAH）的制备是通过三乙基铝、铝粉、在溶剂槽中混合，然后转送到四氢化铝钠（SAH）反应釜中进行合成。整个过程在氢气的氛围下进行。 四氢化铝钠（SAH）产品按照批次生产出来以后在溶液中保存。 硅烷（SiH4 ）的制备 将生产的四氟化硅（STF）和四氢化铝钠（SAH）分别送入第一硅烷反应釜和第二硅烷反应釜进行逆向输送反应生成硅烷。 第一硅烷反应器完成90~95%的反应，余下的在第二硅烷反应器中完成。 硅烷（SiH4 ）的提纯 由上述工艺生产得到的粗硅烷还需要通过一系列的除杂工序才能得到高纯的硅烷气体。 除杂工序包括脱轻、脱重、乙烯吸附、乙基硅烷去除等，分别除去粗硅烷中的各类轻组分、重组分和金属杂质得到高纯硅烷气体，然后冷凝成液态硅烷储存备用。 高纯硅烷气用于后续多晶硅的制备或将储存的液态硅烷气化后用硅烷压缩机压缩成高压气体，充入钢瓶中供客户使用。 多晶硅的制备 在多晶硅制备过程中，还原炉温度控制在600-800℃,压力控制在0.2-0.5MPa，气化后的硅烷气体将沉降在预制好的硅芯上。未反应的硅烷和氢气排出热解炉，氢气被分离经除杂后再返回热解炉 ，被分离出来的硅烷再回到硅烷提纯装置经行提纯循环使用。 硅烷法还原装置 硅棒生长 多晶硅硅棒 多晶硅硅料 四氟化铝钠（SAF） 在硅烷生产过程中会生成副产物四氟化铝钠（SAF）溶液。通过薄膜蒸发器对其进行蒸发干燥，蒸发出来的溶液可以进行分离回收再利用，而干燥后的四氟化铝钠（SAF）作为副产物对外销售。 产品简述 硅烷纯度：6N以上（主要为一些微量碳含量及金属离子） 多晶硅纯度：9N以上（主要杂质为硼、磷及微量金属离子） 高纯硅烷的市场用途 光伏电池片的表面钝化 薄膜电池的镀膜 TFT液晶显示屏镀膜 半导体器件领域应用 特种玻璃行业应用 其他军事领域应用 高纯硅烷的市场前景 中国市场年需求量1500吨。 中宁以外的生产能力为年50吨，其余全部从国外进口。 中宁的高纯硅烷年生产能力为4500吨，其中3500吨左右用于多晶硅生产，1000吨供应硅烷市场。 高纯硅烷 谢 谢！ 浙江中宁硅业有限公司 网站： 联系电话硅烷（SiH4 ）的制备 将生产的四氟化硅（STF）和四氢化铝钠（SAH）分别送入第一硅烷反应釜和第二硅烷反应釜进行逆向输送反应生成硅烷。 第一硅烷反应器完成90~95%的反应，余下的在第二硅烷反应器中完成。 硅烷（SiH4 ）的提纯 由上述工艺生产得到的粗硅烷还需要通过一系列的除杂工序才能得到高纯的硅烷气体。 除杂工序包括脱轻、脱重、乙烯吸附、乙基硅烷去除等，分别除去粗硅烷中的各类轻组分、重组分和金属杂质得到高纯硅烷气体，然后冷凝成液态硅烷储存备用。 高纯硅烷气用于后续多晶硅的制备或将储存的液态硅烷气化后用硅烷压缩机压缩成高压气体，充入钢瓶中供客户使用。 四氟化铝钠（SAF） 在硅烷生产过程中会生成副产物四氟化铝钠（SAF）溶液。通过薄膜蒸发器对其进行蒸发干燥，蒸发出来的溶液可以进行分离回收再利用，而干燥后的四氟化铝钠（SAF）作为副产物对外销售。