高亮度LED初具产业基础 仍需政策助力.pdfVIP

高亮度LED初具产业基础 仍需政策助力 从上世纪高亮度LED(发红、橙、黄光的四元系产品和发蓝、绿、紫光的GaN基产品)问世以来，经过 十几年的努力，高亮度LED已经进入功能性照明领域，并将逐步进入普通照明领域，目前已形成较完 善的产业链，备受世界各国及国际大公司的重视。我国也紧跟世界前沿技术，加快研发和产业化工作 ，已经具备了一定的产业基础。 中国光学光电子行业协会光电器件分会秘书长彭万华 我国LED产业链初步成型 根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的统计和测算，再参考国内相关机构提供的数据，2007年 全国从事LED的企业有2000多家，其中从事外延生长、芯片制造研究和生产的单位有40多家，器件封 装企业约600家，其中有一定规模的封装企业约100家。应用产品和配套企业有1700多家。行业就业人 员约十几万人(另有统计估算为30万～40万人)，从原材料、外延生长、芯片制造、器件封装到应用产 品和配套材料、设备仪器，已形成较完善的产业链。近几年，我国LED芯片和器件，尤其是高亮 度LED芯片和器件的增长十分迅速。 外延及芯片技术取得突破 LED的核心技术是LED的外延生长和芯片制造技术，近几年政府和相关研究机构对此高度重视，投入 了大量资金和人力加以研究、开发和产业化。主要研究机构有北大、清华、南昌大学、北京工大、山 东大学、南京大学、华南师范大学、厦门大学、深圳大学、中南理工大学，中科院半导体所、物理所 ，中电13所、55所以及新成立的中科院半导体照明研发中心等。在外延生长、芯片制造方面开展多项 研究并取得成果，如在不同衬底(Al2O3、Si、SiC、AlN、GaN)上外延生长GaN材料、有图形化衬底外 延、非极性或半极性外延、衬底转移、激光剥离、共晶焊接、ITO电极、表面粗化和光子晶体等等， 提高内量子效率和外量子效率，均取得很好的研究成果。另外，我国已研发出AlGaN深紫外(260nm ～400nm)发光二极管，还研发出1W的LED蓝光芯片，做成白光LED的发光效率超过80lm/W，并研制 出四元系AlGaInP红光功率LED器件，发光效率约40lm/W。南昌大学研制出具有自主知识产权的在Si衬 底上生长GaN，并做出蓝、绿LED芯片，已实现产业化。 国内LED外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安、大连路美、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、 杭州士兰明芯、江西晶能光电、河北同辉、沈阳方大、厦门乾照、江西联创、南昌欣磊、上海大晨、 上海宇体、深圳世纪晶源、深圳奥伦德、扬州华夏集成、廊坊清芯、甘肃新天电、武汉迪源、西安中 为、广州普光、东莞福地，以及外资企业武汉华灿、厦门晶宇、厦门明达和晋江晶蓝等共计20多家企 业，这些企业在芯片结构和工艺改进方面做了大量的工作，在提高产品性能、成品率、工艺重复性、 提高抗光衰能力和可靠性等方面均取得较大成果，保障了芯片的批量生产。2007年国内生产高亮度芯 芯片产量将超过300亿只，其中蓝、绿芯片约80亿～100亿只。 器件封装及配套能力突出 国内LED封装企业的特点是规模小、数量多，约500～600家，具有一定规模，年销售额在1000万元以 上的企业约100家，主要封装企业有厦门华联、佛山国星、江苏稳润、广州鸿利、宁波升谱、江西联创 、天津天星、廊坊鑫谷、深圳瑞丰、深圳雷曼、深圳光量子、珠海力丰等。 2007年全国封装的器件达460亿只，加上外资企业，国内的LED封装能力超过600亿只/年。可封装的器 件品种齐全，包含单管、复合管、像素管、数码显示器、各种背光源、SMD-LED、微型LED、矩阵显 示器、专用显示器、白光LED、功率LED和大功率LED模块等，具有实力的封装企业投入较大的研发 力量，在改进封装结构、提高散热性能、提高出光效率、提高抗光衰和可靠性等方面均取得很好成果 ，现可批量封装1WLED，其发光效率达100lm/W，热阻可控制在10℃/W以内。中电13所开发具有自主 产权的大功率LED封装产品，另外，还开发具有自主产权的垂直结构无焊线功率LED封装新产品，为 功率LED封装产业作出贡献。 国内LED封装材料和配件的配套能力是很强的，除个别材料外，绝大部分材料均为国内提供，主要有 金丝、硅铝丝、环氧树脂、硅胶、银胶、导电胶、支架、条带、塑料件、封装模具和工夹具等，已形 成一定规模，企业主要在珠江三角洲和宁波地区。另外，对于封装白光LED用的荧光粉，国内也有十 几家企业正在研究和生产，已大量用于白光LED封装，大连路明则开发了有自主产权的硅酸盐荧光粉 。另外，我国还开发了具有自主知识产权的蓝光激发红光和绿光的氮化物荧光粉，可由三基色组成