新能源考试复习chapter 1-2： 作业 2答案版.doc

Chapter 1: 简述几种主要的能源形式及能量之间的转换及其原理与实现途径。 Chapter2： 1．一维晶体的电子能带可写为， 式中a为 晶格常数，试求 （1）布里渊区边界； （2）能带宽度； （3）电子在波矢k状态时的速度； （4）能带底部电子的有效质量； 能带顶部空穴的有效质量 2．计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。 计算含有施主杂质浓度为ND=9?1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1?1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 掺有1.1?1016硼原子cm-3和9?1015磷原子cm-3的S i样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 5．用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为?。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子?n=?p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。 7．一块电阻率为3??cm的n型硅样品，空穴寿命?p=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（?p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？