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63 MOS 管 mos 管是金属 (metal) — 氧化物 (oxid) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘 体 (insulator) — 半导体。 双极性晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在 输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益 就定义为输出输入电流之比（ beta ）。另一种晶体管， 叫做场效应管（ FET ），把输入电压的变化转化为输出 电流的变化。 FET 的增益等于它的 transconductance ， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。 31 比如 5.1 欧，可以标注 5.1Ω 或者 5.1 ； 680 欧，可 以标注 680Ω 或者 680 。 电阻的使用常识。要根 据电路的要求选用电阻的种类和误差。在一般的 电路中，采用误差 10% ，甚至 20% 的碳膜电阻就 可以了。电阻的额定功率要选用等于实际承受功 率 1.5~2 倍的，才能保证电阻耐用。电阻在装入 电路之前，要用万用表欧姆档核实它的阻值。安 装的时候，要使电阻的类别、阻值等符号容易看 到，以便核实。 32 电容 2.1 基础知识 （ 1 ）电容器的含义 : 衡量导体储存电荷能力的物理量 . （ 2 ）电容器的英文缩写 :C (capacitor) （ 3 ）电容器在电路中的表示符号 : C 电容在底板上用字母 C 表示，图形如下表示： （ 4 ）电容器常见的单位 : 毫法（ mF ）、微法（ uF ）、纳法 （ nF ）、皮法（ pF ） （ 5 ）电容器的单位换算 : 1 法拉 =10 3 毫法 =10 6 微法 =10 9 纳法 =10 12 皮法 1pf=10 -3 nf=10 -6 uf=10 -9 mf=10 -12 f 33 电容的分类 根据介质的不同，分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解 电容几种。陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材 料为介质，体积小，自体电感小。 云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳 定，高精密。 纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘 介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质， 有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性。价格低，容量大。 34 电容的外观、形状如下图示： 薄膜电容：用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜 代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大， 不稳定。 35 电容的参数识别和选用 主要参数是容量和耐压值。 常用的容量单位有 μ F （ 10-6 F ）、 nF （ 10- 9 F ）和 PF （ 10-12 F ），标注方法与电阻相 同 。 电容还应注意极性，使 + 极接到直流高电 位，还应考虑使用温度。 当标注中省略单位时，默认单位应为 PF 电容的选用应考虑使用频率、耐压。电解 36 电容大小的表示方法（一） 标有单位的直接表示法：有的电容的表面上直接标志了其特 性参数，如在电解电容上经常按如下的方法进行标志： 4.7u/16V ，表示此电容的标称容量为 4.7 uF ，耐压 16V 。 不标单位的数字表示法：许多电容受体积的限制，其表面经 常不标注单位。但都遵循一定的识别规则。当数字小于 1 时， 默认单位为微法 , 当数字大于等于 1 时，默认单位为皮法 。 用 2 － 4 位数字和一个字母表示标称容量，其中数字表示有效 数值，字母表示数值的量级。字母为 m 、 u 、 n 、 p 。字母 m 表 示毫法（ 10 -3F ）、 u 表示微法（ 10 -6F ）、 n 表示毫微法 （ 10 -9F ）、 P 表示微微法（ 10-12F ）。字母有时也表示小 数点。如 33m 表示 33000 u F ； 47n 表示 0 ． 047 u F ； 3 u 3 表示 3 ． 3 u F ； 5n9 表示 5900pF ； 2P2 表示 2 ．２ pF 。另外 也有些是在数字前面加 R ，则表示为零点几微法，即 R 表示 小数点，如 R22 表示 0 ． 22pF 。 37 电容大小的表示方法（二） p 、 n 、 u 、 m 法：此时标识在数字中的字母： p 、 n 、 u 、 m 即是量纲，又表示小数点位置。如 某电容标注为 4n7 表示此电容标称容量为 4.7 × 10-9F=4700 pF 。 色环 ( 点 ) 表示法：该法同电阻的色环表示法 , 沿 着电容器引线方向，第一、二种色环代表电容 量的 有效数字，第三种色环表示有效数字后面 零的个数，其单位为 pF 。 38 电容的标称 1 、 标称电容量（ CR ） 电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介 质电容器的电容量较低（大约在 5000pF 以下）； 纸、塑料和一些陶瓷介质形式的