集成电路TSV三维封装可靠性试验方法-编制说明.pdf

国家标准 《集成电路 硅通孔（ TSV）三维封装可靠性试验方法 》 (征求意见稿 )编制说明 1 工作 简况 1.1 任务来源 本项目是 2018 年国家标准委下达的军民通用化工程标准项目中的一项， 本国家标准的制 定任务已列入 2018 年国家标准制修订项目，项目名称为《集成电路硅通孔（ TSV ）三维封装 可靠性试验方法》，项目编号为： T-339 。本标准由中国电子技术标准化研究院负 责组织制定，标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会 （TC78/SC2 ）。 1.2 起草单位简介 中国电子技术标准化研究院是工业和信息化部直属事业单位， 专业从事工业和电子信息 技术领域标准化科研工作 。中国电子技术标准化研究院紧紧围绕部中心工作 ，立足标准化工 作核心，研究工业和电子信息技术领域标准化发展战略，提出相关规划和政策建议；组织建 立和完善电子信息、软件服务等领域技术标准体系，开展共性、基础性标准的研究制定和应 用推广；承担电子产品的试验检测、质量控制和技术评价、质量监督检查和质量争议鉴定等 工作；负责电子工业最高计量标准的建立、维护和量值传递工作；开展管理体系认证、产品 认证、评估服务等相关活动；建立和维护标准信息资源，开展标准信息服务、技术咨询评估 和培训活动。 1.3 主要工作过程 接到编制任务， 项目牵头单位中国电子技术标准化研究院成立了标准编制组 ，中科院微 电子研究所、 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、 中国电子科技集团公司第十三研 究所等相关单位参与标准编制工作。编制组落实了各单位职责，并制定编制计划。 编制组查找了国际、 国内三维集成电路封装相关标准， 认真研究了现行集成电路标准体 系和相关标准技术内容，在此基础上形成了标准草案。 2 标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题 2.1 本标准制定原则 本标准遵循 “科学性、实用性、统一性、规范性 ”的原则进行编制，依据 GB/T 1.1-2009 规则起草，确立了本标准的范围、规范性引用文件、术语和定义。 2.2 标准的主要内容与依据 2.2.1 本标准的定位 本标准是三维（ 3D）集成电路（ IC）封装系列标准中的一项，规定了采用硅通孔（ TSV） 1 技术的三维集成电路封装推荐使用的可靠性试验，适用于“先通孔”（先完成 TSV 的制作， 再做有源芯片及其互连 )、“中通孔” (先做有源器件，然后制作 TSV,之后再进行片内互连工 艺) 以及“后通孔” (先完成有源芯片和有源芯片片内互连层，最后制作 TSV)等采用不同工艺 流程制造的 TSV 结构的可靠性试验。 2.2.2 关于引用文件 GB/T 4937.20-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第 20 部分：塑封表面安装器件耐 潮湿和焊接热综合影响； GB/T 4937.30-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第 30 部分：非气密表面安装器件 在可靠性试验前的预处理； GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第 11 部分：半导体集成电路分规范（不包括 混合电路）； GB/T XXXX-20XX集成电路 三维封装 术语和定义（报批稿）。 GB/T 4937.20-2018 和 GB/T 4937.30-2018 是半导体器件的潮湿敏感度试验方法和可靠性 试验前的预处理程序，用于半导体器件的抗潮湿能力检测。 GB/T 12750-2006 是半导体集成电路分规范规定了半导体集成电