原创力文档- 1、本文档共2页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第五章 过剩载流子
设寿命为1sec，光照停止后经多少时间，过剩载流子衰减至20%，10%，5%？
（2）为甚么在过剩载流子的寿命和单位时间内非平衡载流子的复合几率之间有如下联系？
（3）说明准费米能级的含意。若载流子偏离平衡分布，严格说是否存在准费米能级？
（4）在无外场一维稳定扩散分布的讨论中，为何只考虑少子的扩散运动？多子又如
何？说明形成一维稳定分布的条件。证明在处的扩散电流全部在内部复合掉了。
（5）若少子迁移率和寿命分别为1000 cm/V·sec和1sec
1）求扩散速度。
2）表面复合速度多大时才会对过剩载流子的稳态分布产生影响？
3）若=1000cm/sec，在表面产生的过剩少子在表面和在体内复合的各占多少？
（6）从子系化学势的角度，讨论以下几种情形下是否有载流子的净复合或净产生。
1）,；
2）,, 但
3）,，但=；
4），
（7）设Si中室温过剩载流子寿命为1sec
1）若多子浓度为/cm，少子浓度为零，求小信号条件下，室温下电子、空穴对的产生速率。
在上述条件下，但温度为500K，产生速率又如何？两者相差多少倍？
（8）若存在两种复合机制，单独起作用时的寿命分别为和，你如何比较它们在复合中作用的大小？两种机制同时起作用时的寿命应为多少？
（9）求出电子浓度为/cm的GaAs和Si的直接辐射复合寿命的大小；说明引起两者直接辐射复合寿命差异的主要原因；评论它们在发光应用中的优缺点。
（10）从直接辐射复合、带间俄歇复合和间接复合的复合速率的表示式出发，讨论这三者可起重要作用的条件。
在n型半导体中，有浓度为/cm的复合中心， 。设小信号时，中心上的空穴激发到价带的几率等于价带空穴被中心俘获的几率。求该中心的能级位置。中心能级的位置高一些或低一些，两者相对大小如何变化？若、不随温度变化，温度高一些或低一些又如何？
n型Si和p型Si均含有/cm的金。Au对空穴和Au对电子的俘获系数分别为cm/sec, cm/sec。求两种情形下的小注入寿命
计算下列情形的介电弛豫时间
1）本征硅 （）
2）掺有浓度为/cm的浅施主的硅
3）电阻率为cm的SiO（）
文档评论（0）