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标准文档
光电综合设计
学院:理学院
专业:应用物理学
:
学号:
年月日~年月日
实用大全
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目 录
一、课题 1:半导体中载流子浓度的计算分析 1
1.1.课题任务要求及技术指标 1
1.2.课题分析及设计思路 1
1.3.系统设计(建模) 1
1.4.仿真结果与结果分析 3
二、课题 2:光电探测器光电流的计算 6
2.1. 课题任务要求及技术指标 6
2.2. 课题分析及设计思路 6
2.3. 系统设计(建模) 7
2.4. 仿真结果与结果分析 8
三、课题 3:半导体激光器静态特性的计算 10
3.1. 课题任务要求及技术指标 10
3.2. 课题分析及设计思路 10
3.3. 系统设计(建模) 11
3.4. 仿真结果与结果分析 12
四、课程设计小结 16
实用大全
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一、课题 1:半导体中载流子浓度的计算分析
1.1. 课题任务要求及技术指标
设计任务:
若锗中含有一定数量的杂质元素 Sb,试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度
之间的关系:
(1)当 Sb 浓度分别为 1014 cm 3 和 17 3 时,计算杂质 99%, 90 %和 50 %电离时的
10 cm
温度各为多少?
(2 )根据一定杂质类型和杂质浓度,画出电离度和温度的关系图线,并确定半导体处
于强电离区(电离度 90 %)的温度围。
设计要求:
(1)具有友好输入输出界面;
(2 )调整输入数据,得出相应结果,并进行分析。
1.2. 课题分析及设计思路
本题是已知掺杂一定数量杂质的半导体, 分析其杂质浓度、 电离度及电离温度之间的关
系,并且在已知杂质浓度的条件下根据电离度计算温度。 由固体电子导论中载流子浓度的知
识,随着温度升高,电离程度加大,载流子浓度也增加,但温度进一步升高后,杂质全部电
离,此时以本征激发为主,载流子浓度迅速增加,本题中锗中掺 Sb 时,形成 n 型半导体,
任务是要作出一定掺杂浓度下电离度和温度的关系曲线,计算公式如下:
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