半导体器件物理II必背公式+考点摘要.pdf

文档 半二复习笔记 1.1 MOS结构 1. 费米势：禁带中心能级 (EFi) 与费米能级 (EF) 之差的电势表示 2. 表面势：半导体表面电势与体电势之差，体 EFi 和表面 EFi 之差的电势表示 3. 金半功函数差 4. P 沟道阈值电压 文档 注 意 faifn 是个负值 1.3 MOS原理 1.MOSFET非饱和区 IV 公式 2. 跨导定义： VDS一定时，漏电流 ID 随 VGS变化率，反映了 VGS 对 ID 的控制能力 3. 提高饱和区跨导途径 文档 4. 衬底偏置电压 VSB0，其影响 5. 背栅定义： 衬底能起到栅极的作用。 VSB 变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变 化；若 VGS不变，则反型沟道电荷变化，漏电流变化 1.4 频率特性 1. MOSFET 频率限制因素： ①沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素） ②栅电容充放电需要时间 2. 截止频率 ：器件电流增益为 1 时的频率 高频等效模型如下： 文档 栅极总电容 CG看题目所给条件。 若为理想， CgdT为 0，CgsT 约等于 Cox，即 CG=Cox； 非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠，产生寄生电容：① CgdT 的 L 为交叠部分长 度 ② CgsT 的 L 为 L+交叠部分长度（ CgsT=Cgs+Cgsp）。 3. 提高截止频率途径 1.5 CMOS 1. 开关特性