介电质沉积平坦化.ppt

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Cu 金屬沉積 金屬沉積 w 溝槽蝕刻 傳統 雙重金屬鑲嵌製程 金屬層接觸窗孔蝕刻 IMD w Al合金 Al Al IMD IMD Cu Cu IMD 傳統 雙重金屬鑲嵌製程 Al 金屬蝕刻 金屬研磨 Cu IMD Cu Al w IMD Etch trenches and via holes FSG Cu FSG Cu SiN FSG Tantalum Barrier Layer and Copper Seed Layer Deposition Ta FSG Cu Cu Cu FSG FSG SiN Electrochemical Plating Copper FSG Cu SiN Ta FSG Cu Cu FSG CMP Copper and Tantalum, CVD Nitride FSG Cu SiN Ta FSG Cu Cu SiN 4 - *   Introduction to VLSI Circuits and Systems 第4章 Fabrication of CMOS Integrated Circuits IC Design: CMOS Inverter Metal 1, AlCu P-Epi P-Wafer N-Well P-Well PMD p + p + n + n + W Metal 1 Contact P-well N-well Polycide gate and local interconnection N-channel active region N-channel Vt N-channel LDD N-channel S/D P-channel active region P-channel Vt P-channel LDD P-channel S/D Shallow trench isolation (STI) Vss Vdd NMOS PMOS Vin Vout STI (a) (b) (c) CMOS inverter layout Mask 1, N-well Mask 2, P-well Mask 3, shallow trench isolation Mask 4, 7, 9, N-Vt, LDD, S/D Mask 5, 8, 10, P-Vt, LDD, S/D Mask 6, gate/local interconnection Mask 11, contact Mask 12, metal 1 IC Design: Layout and Masks of CMOS Inverter Endura? PVD System PVD Target PVD Chamber CVD Chamber Applications: Interconnection Al 介電質沉積/平坦化 介電質沉積/平坦化 金屬層接觸窗孔蝕刻 金屬層接觸窗孔蝕刻 Al Al IMD IMD IMD IMD Cu Cu Cu 傳統 雙重金屬鑲嵌製程 4 - *   Introduction to VLSI Circuits and Systems 第4章 Fabrication of CMOS Integrated Circuits

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