模拟电子技术基础1.4-特种二极管XJD.pptx

符号uZ–+iZiZUZOuZ?UZAQIZ?IZB1.4 特种二极管1.4.1 硅稳压二极管伏安特性特点a. 正向特性与普通管类似b. 反向击穿特性很陡稳压管通常工作于反向电击穿状态iZ(2) 动态电阻UZOuZ?UZAQIZ(5) 温度系数?IZB1. 硅稳压管的主要电参数(1) 稳定电压UZ(3) 最大允许工作电流IZM(4) 最大允许功率耗散PZM温度系数 定义：温度每变化1?C时UZ的相对变化率。即UZ 6V管子出现雪崩击穿，αU 为正；UZ 4V 出现齐纳击穿，αU 为负;4V UZ 6V，αU可能为正，也可能为负。DZ1(1)DZ2(2)具有温度补偿的硅稳压管把一只αU为正的管子与另一只αU为负的管子串联将两只αU 为正的稳压管串联iZuZUZ0D2OUZD1rZD3QIZUZ02. 硅稳压管的等效电路等效电路理想二极管反向击穿时端电压表达式正向反向IOIR+IZ+RLUODZUI__3. 硅稳压管稳压电路R——限流电阻IOIR+IZ+RLUODZUI__ UO↓(1) 稳压原理 a.UI不稳定 UI↑→ UO↑→ UZ ↑ → IZ↑→ I↑→ I R↑IOIR+IZ+RLUODZUI__UO↑b. RL改变 → UZ ↓→ IZ↓→ I↓→ I R↓ RL↓ → UO↓IOIR+IZ+RLUODZUI__≥(2) 限流电阻计算输出电压稳定的条件（保证稳压管被击穿）IOIR+IZ+RLUODZUI__稳压管正常工作的条件IZ(min)≤IZ≤IZMIOIR+IZ+RLUODZUI__图中 UO=UZ IZ = I－IO IOIR+IZ+RLUODZUI__由式IZ = I－IO 知当UI为最大值UI(max)时，I值最大；此时当IO为最小值IO(min)时，IZ值最大。 IOIR+IZ+RLUODZUI_≤_≥为保证管子安全工作,应使由此可得IOIR+IZ+RLUODZUI__由式IZ = I－IO 知当UI为最大值UI(min)时，I值最小；此时当IO为最大值IO(max)时，IZ值最小。 IOIR+IZ+RLUODZUI_≥_≤为保证电路正常工作，应使由此可得≥≤≤≤由式及得.........+.............+.............+......N...P+1.4.2 变容二极管1. PN结的电容效应非平衡少子的积累(1) 扩散电容CD3电子浓度12.........+.............+.............+......N...P+xΔU03ΔU=021△U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图ΔU0.........+.............+.............+......N...P+PN结正向偏置电压越高，非平衡少子的积累越多。这种电容效应用扩散电容CD表征。++++++PN++U(2) 势垒电容CB空间电荷层+++PN+U+?U (?U0)a. 当PN结正向偏置电压升高时空间电荷层中的电荷量减少PN结变窄+++++++++PN+++U-?U (?U0)b. 当PN结正向偏置电压降低时空间电荷层中的电荷量增大PN结变宽可见，空间电荷量随着PN结偏置电压的变化而变化。这种电容效应用势垒电容CB表征。小结PN结结电容CjCj = CD + CB 当PN结反偏时当PN结正偏时变容二极管的特点a.当二极管反向偏置时，因反向电阻很大，可作电容使用。b. 电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。100uD号024681012C－U 特性曲线变容二极管的符号及C－U 特性曲线+V高频放大器+C1Ru1L+UDDC––谐振频率式中2. 变容二极管及其应用示例+V高频放大器+C1Ru1L+UDDC––故谐振频率由于IOIR++IZUODZUIRL__思 考 题1. 在图示稳压电路中，输出电压稳定的条件是什么？2. 在图示稳压电路中限流电阻的大小对电路性能有何影响？