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APG60N10D
100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET
General Description
APG60N10D use advanced SGT MOSFET technology to
provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching
and excellent avalanche characteristics.
This device is specially designed to get better ruggedness
and suitable to use in
Features
Low RDS(on) FOM
Extremely low switching loss
Excellent stability and uniformity or Invertors
Applications
Consumer electronic power supply
Motor control
Synchronous-rectification
Isolated DC
Synchronous-rectification applications
Package Marking and Ordering Information
Product ID Pack Marking Qty(PCS)
APG60N10D TO-252-3 APG60N10D XXX YYYY 2500
Absolute Maximum Ratings at T =25℃ unless otherwise noted
j
Parameter Symbol Value Unit
Drain source voltage VDS 100 V
Gate source voltage VGS ±20 V
1)
Continuous drain current , T =25 ℃ ID 60 A
C
2)
Pulsed drain current , T =25 ℃ ID, pulse 180 A
C
3)
Power dissipat
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