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AP80N06PIT
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
General Description
AP80N06P/T use advanced VD MOST technology to
provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching
This device is specially designed to get better ruggedness
and suitable to use in
Low RDS(on) FOM
Extremely low switching loss
Excellent stability and uniformity or Invertors
Applications
Consumer electronic power supply Motor control
Synchronous-rectification Isolated DC
Synchronous-rectification applications
General Features
V = 60V I =80 A
DS D
RDS(ON) 12mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) 15m Ω @ VGS=4.5V
Package Marking and Ordering Information
Product ID Pack Marking Qty(PCS)
AP80N06P TO-220-3 AP80N06P XXX YYYY 1000
AP80N06T TO-263-3 AP80N06T XXX YYYY 1000
o
Absolute Maximum Ratings@T =25 C(unless otherwise specified)
j
Symbol Parameter Rating Units
VDS Drain-Source Voltage 60 V
VGS Gate-Source Voltage +20 V
I @T =25℃ Drain Current, VGS @ 10V 80 A
D C
I @T =100℃ Drain Current, VGS @ 10V 43 A
D C
IDM
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