AP9N50D 9A 500V TO-252场效应规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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AP9N50D 9A 500V TO-252场效应规格书.pdf

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APN9N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General Features VDS =500V,ID =9A RDS(ON) 0.84Ω@ VGS=10V Application Uninterruptible Power Supply(UPS) Power Factor Correction (PFC) Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP9N50D TO-252-3L AP9N50D XXX YYYY 1000 Absolute Maximum Ratings (T =25 ℃unless otherwise specified) C Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 500 V VGSS Gate-Source Voltage ±30 V TC = 25℃ 9 A ID Continuous Drain Current TC = 100℃ 5.4 A IDM Pulsed Drain Current note1 36 A EAS Single Pulsed Avalanche Energy note2 198 mJ PD Power Dissipation TC = 25℃ 150