APG180N10PT 180A 100V TO-220 TO-263场效应管规格书.pdfVIP

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2020-03-31 发布于广东
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APG180N10PIT 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG180N10P/T use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity or Invertors Applications Consumer electronic power supply Motor control Synchronous-rectification Isolated DC Synchronous-rectification applications Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) APG180N10P TO-220-3L APG180N10P XXX YYYY 1000 APG180N10T TO-263-3L APG180N10T XXX YYYY 1000 Absolute Maximum Ratings at T =25℃ unless otherwise noted j Parameter Symbol Value Unit Drain source voltage VDS 100 V Gate source voltage VGS ±20 V Continuous drain current1) ID 180 A Pulsed drain current2) ID, pulse 540 A Power dissipation3)