电子线路课件-吉林大学-第一章-(b站有慕课).ppt

1.2.3 二极管的主要参数 (1) 最大正向直流电流IF + i D v D - R 1.2.3 二极管的参数 (2) 反向击穿电压VBR和最大反向峰值电压VRM VRM =0.5VBR 为了保证二极管安全工作： (3) 反向直流电流IR 1.2.3 二极管的参数 (4) 正向压降VF （硅二极管典型值） （锗 二极管典型值） 导通压降： + i D v D - R (5) 最高工作频率fM 1.2.4 稳压二极管 1. 稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 ?IZ很大，?VZ很小。 (1) 稳定电压VZ (3) 动态电阻rZ 在反向击穿后两端的实际工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin 2. 稳压二极管主要参数 1.2.4 稳压二极管 (2) 稳定电流IZ 3. 如何稳压 正常稳压时 VO =VZ 限流电阻R的选择： IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 一.限幅电路： 单向限幅电路：如12页图 二.稳压电路 §1.2.5 二极管应用举例 1.3双极型晶体管 1.3.1 晶体管的结构及符号 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 平面型结构 1.内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程 1.3.2晶体管电流放大作用 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 1.3.2晶体管的电流放大作用 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数，与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关一般 ? = 0.9?0.99 IE=IB+ IC 载流子的传输过程 第一章  基本半导体器件 §1-1 ＰＮ结 半导体： 其导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 特殊性质即电导率可控： 温度 光照 磁场 掺杂质 1.1.1本征半导体 Ge Si 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个而且都具有特定的晶体结构。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、结构完整的 半导体晶体－－本征半导体 1.本征半导体的特点 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。此时在外电场作用下具有一定的导电能力 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 本征激发 载流子 复合 2.本征半导体的导电机理 +4 +4