底片干膜工艺技术资料(85页).ppt

干膜技术资料;电路图形转移材料的演变;电路图形转移材料的演变;一、液体感光胶：;二、光致抗蚀干膜：;三、湿法贴膜技术： ;四、阳极法电沉积光致抗蚀剂：; 其电路图形的转移采用上述任何原材料都无法达到其技术指标。因此研制与开发更新型的光致抗蚀剂-阳极法电沉积光致抗蚀剂（ED法）其基本原理是将水溶性的有机酸化合物等溶于槽液内，形成带有正、负荷的有机树脂团，而把基板铜箔作为一个极性（类似电镀一样）进行“电镀”即电泳，在铜的表面形成5-30μm光致抗蚀膜层，是可控制的。其分辨率可达到0.05-0.03mm。这种电路图形转移材料是很有发展前途的工艺方法。当然任何新型有图形转移材料都有它的局限性，随着高科技的发展还会研制与开发更适合更佳的原材料。 ;干膜光致抗蚀的种类;干膜光致抗蚀的种类;根据显影和去膜的方法可把干膜分为三种类型： 1.溶剂型干膜使用有机溶剂作显影剂和去膜剂，例如用1．1．1三氯乙烷显影，二氯甲烷去膜，这两种溶 剂遇火不燃烧。醋酸丁酯等有机溶剂也可用作显影和去膜，但易燃烧，很不安全。 溶剂型干膜是美国最早研制并投入大量生产的一种干膜，我国早期也研制过。它的优点是 技术成熟，工艺稳定，耐酸耐碱，应用范围广。但是，使用这种干膜需要消耗大量的有机溶剂，需 要价格昂贵的显影和去膜设备及辅助装置，生产成本高，溶剂有毒，污染环境，所以日趋以水溶 性干膜所取代，仅在特殊要求时才使用。 2. 水溶型干膜它包括半水溶性和全水溶性两种。半水溶性干膜显影剂和去膜剂以水为主，并加有2～15％的有机溶剂。全水溶性的干膜显影剂和去膜剂是碱的水溶液。半水溶性干膜成本较低，而 全水溶性干膜的成本最低，毒性亦小。 ;3.干显影或剥离型干膜这种干膜不需用任何显影溶剂，而是利用干膜的感光部分与未感光部分对聚酯薄膜表面 和加工工件表面附着力的差别，在从曝光板上撕下聚酷薄膜时，未曝光的不需要的干膜随聚酯 薄膜剥离下来，在加工工件表面留下已曝光的干膜；由此得到所需要的干膜图像。 根据干膜的用途，可把干膜分为抗蚀干膜、掩???干膜和阻焊干膜，抗蚀干膜和掩孔干膜用 作制造印制板图像，而阻焊干膜是涂覆在印制板成品板的表面上，有选择地保护印制板表面， 以便在焊接元器件时，防止导线和焊盘问的短路、桥接，它也是印制板表面的永久性保护层，能 起到防潮、防霉、防盐雾等作用。由于阻焊干膜的成本高，并且在应用中需要昂贵的真空贴膜 设备，因而被近年来飞速发展的液体感光阻焊剂所代替。 ;干膜光致抗蚀剂的结构、感光胶层的主要成分及作用;干膜光致抗蚀剂的结构、感光胶层的主要成分及作用;1)粘结剂(成膜树脂) 作为光致抗蚀剂的成膜剂，使感光胶各组份粘结成膜，起抗蚀剂伪骨架作用，它在光致聚 合过程中不参与化学反应。 要求粘结剂具有较好的成膜性；与光致抗蚀剂的各组份有较好的互溶性；与加工金属表面 有较好的附着力；它很容易从金属表面用碱溶液除去；有较好的抗蚀、抗电镀、抗冷流、耐热等 性能。 粘结剂通常是酯化或酰胺化的聚苯乙烯——顺丁烯二酸酐树脂(聚苯丁树脂)。 2)光聚合单体 它是光致抗蚀剂胶膜的主要组份，在光引发剂的存在下，经紫外光照射发生聚合反应，生 成体型聚合物，感光部分不溶于显影液，而未曝光部分可通过显影除去，从而形成抗蚀图像。多 元醇烯酸酯类及甲基丙烯酸酯类是广泛应用的聚合单体，例如季戊四醇三丙烯酸酯是较好的 光聚合单体。 3)光引发剂在紫外光线照射下，光引发剂吸收紫外光的能量产生游离基，而游离基进一步引发光聚合 单体交联。干膜光致抗蚀剂通常使用安息香醚、叔丁基恿醌等作光引发剂。 ;4)增塑剂 可增加干膜抗蚀剂的均匀性和柔韧性。三乙二醇双醋酸脂可作为增塑剂。 5)增粘剂 可增加干膜光致抗蚀剂与铜表面的化学结合力，防止因粘结不牢引起胶膜起翘、渗镀等弊 病。常用的增粘剂如苯并三氮唑。 6)热阻聚剂 在干膜的生产及应用过程中，很多步骤需要接受热能，为阻止热能对干膜的聚合作用加入 热阻聚剂。如甲氧基酚、对苯二酚等均可作为热阻聚剂。 7)色料 为使干膜呈现鲜艳的颜色，便于修版和检查而添加色料。如加入孔雀石绿、苏丹三等色料 使干膜呈现鲜艳的绿色、兰色等。 8)溶剂为溶解上述各组份必须使用溶剂。通常采用丙酮、酒精作溶剂。 此外有些种类的干膜还加入光致变色剂，使之在曝光后增色或减色，以鉴别是否曝光，这 种干膜又叫变色于膜。;什么是图像转移;什么是图像转移;印制蚀刻工艺流程： 下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影（贴干膜→曝光→显影）→蚀刻→去膜→进入下工序 畋形电镀工艺过程概括如下： 下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影（贴干膜→曝光→显影）→形成负相图象→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序 图像转移有两种方