GB/T 11068-2006砷化镓外延层载流子浓度　电容-电压测量方法.pdf

ICS 77. 040. 01 H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T 11068—2006 代替 GB/T 11068— 1989 碑化镌外延层载流子浓度 电容■电压测量方 Gallium arsenide epitaxial layer —Determination of carrier concentration voltage-capacitance method 2006-07-18 发布 2006-1 1-01 实施 发布 GB/T 1 1068—2006 ■ / ■ ■ 刖 a 本标准是对GB/T 11068— 1989«神化稼外延层载流子浓度电容-电压测量方 》的修订 。本标准在 原标准基础上，参考DIN 50439 《电容-电压法和汞探针测定半导体单晶材料掺杂剂的浓度剖面分布》编 制的。 本标准与原标准相比主要变动如下： ——原标准规定，在制作高阻衬底样品的欧姆电极时 ，要在氮气保护及400°C下合金化5 min,而经 验表明，在350°C〜450°C的温度下合金化，都可得到好的欧姆接触电极，故将此项要求改为在 350°C〜400C及氮气保护下，合金化5 min 〜10 min； -取消了原标准对环境的要求，因为在通常的实验室条件下，所用仪器和测试方法本身对环境温 度和湿度并不十分敏感，特别是成套仪器 。但由于载流子浓度与温度有关 ，故应在测量报告中 标明测量时的环境温度； ——简化了原标准关于电容仪校准的文字表述。 本标准自实施之日起代替GB/T 11068— 1989O 本标准由中国有色金属丁业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准起草单位:北京有色金属研究总院。 本标准主要起草人:王彤涵。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 11068— 19890 T GB/T 1 1068—2006 碑化掾外延层载流子浓度 电容■电压测量方 1范围 本标准规定了神化傢外延层载流子浓度电容-电压测量方 ，适用于神化傢外延层基体材料中载流 子浓度的测量 。测量范围： 1X1O14 cm^〜5X1O17 cm 3 o 2术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 2. 1 击穿电压 breakdown voltage 当反向偏压增加到某一值时，肖特基结就失去阻扌肖作用，反向电流迅速增大时的电压值。 2.2 接触面积 contact area 汞探针与试样表面的有效接触面积。 2.3 势垒电容 barrier capacitance 半导体内垂直于接触面的空间电荷区的电容。 2.4 势垒宽度 barrier width 起势垒作用的空间电荷区的线性宽度。