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半导体三极管;半导体三极管;(Semiconductor Transistor);二、电流放大原理;3. 三极管内部载流子的传输过程;4. 三极管的电流分配关系;2.1.2 晶体三极管的特性曲线;二、输出特性;三、温度对特性曲线的影响;2.1.3 晶体三极管的主要参数;三、极限参数;2.2 单极型半导体
三极管;引 言;一、增强型 N 沟道 MOSFET
(Mental Oxide Semi— FET);2. 工作原理;2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 转移特性曲线;;三、P 沟道 MOSFET;2.2.2 结型场效应管;2. 工作原理;N 沟道增强型;2.2.3 场效应管的主要参数;4. 低频跨导 gm ;;引 言;基本方法;二、电量的符号表示规则;2.3.1 直流分析;二、工程近似分析法;三、电路参数对静态工作点的影响;iC ? 0;例 2.3.2 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?，RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。;2.3.2 交流分析;例 2.3.3 ;;基本共发射极
电路的波形：;放大电路??非线性失真问题;2. “Q”过高引起饱和失真;饱和失真的本质：;选择工作点的原则：;二、小信号等效分析法(微变等效);(2) 晶体三极管交流分析;例 2.3.4 ? = 100，uS = 10sin ?t (mV)，求叠加在“Q” 点上的各交流量。;② 交流通路;2. 场效应管电路小信号等效电路分析法;例 2.3.4
gm= 0.65 mA/V，ui = 20sin?t (mV)，求交流输出 uo。;2.4 半导体三极管的
测试与应用;2.4.1 半导体三极管使用基本知识;二、万用表检测晶体三极管的方法;指针式万用表;数字万用表;三、晶体三极管的选用;附录：半导体器件的命名方式
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