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1.电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。
同是5伏供电的话，ttl一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是
2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。
2。电流驱动能力不一样，ttl一般提供25毫安的驱动能力，而
CMOS一般在10毫安左右。
3。需要的电流输入大小也不一样，一般ttl需要2.5毫安左右，CMOS
几乎不需要电流输入。
3。很多器件都是兼容ttl和CMOS的，datasheet会有说明。如果不考虑
速度和性能，一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能
引起电路工作不正常，因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为
负载才能正常工作。
（1）ttl门限电平比较低，固定，对于Vcc的变化门限电平基本不变；
cmos门限电平为Vcc/2，跟随Vcc的变化而变化。
所以在Vcc相同时，cmos比ttl噪声容限高，抗干扰能力强。
（2）4000系列cmos器件供电范围更宽
（3）通常(Vcc=5V)cmos逻辑电路可以直接驱动ttl逻辑电路，而ttl逻辑电路
直接驱动cmos逻辑电路会发生逻辑高电平识别错误，需调整逻辑电平的输出幅度。
TTl器件工作在5V 其输出为Voh-3.6V Vol-0.2V。而CMOS器件工作与3-15V，其输出为Voh=0.7-0.8Vcc，Vol=0.2Vcc
还有不同之处如下
TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大，负载以mA计，不用端多半可
不做处理。
CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS，功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计，
不用端必须处理。
设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。
通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。
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