模拟电子技术基本教程 华成英主编 .ppt

§4.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 1.内部载流子运动 2、电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 讨论一 * 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 二、晶体管的电流放大作用　 共射极放大电路 PNP接法？ 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 穿透电流 集电结反向电流 共射直流电流放大系数 交流电流放大系数 类似：共基电流放大系数α等 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 uCE iC uBE 状态 直流参数： 　共射直流电流放大系数 共基直流电流放大系数 极间反向电流 集－基极反向饱和电流ICBO： 　　发射极开路，C、B极间加一反向电压时的反向电流。 集－射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）： 　　基极开路，C、E间加一反向电压时的反向电流， 　　　　又称穿透电流。ICEO＝ICBO（1＋β） 　　　　　　　　二者都是衡量BJT质量的重要参数。 交流参数： 特征频率（截止频率）fT：使β＝1的信号频率 共射交流电流放大系数 共基交流电流放大系数 通常取 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 　集电极最大允许电流ICM： β下降到额定值的2/3时的集电极电流 　集电极最大允许耗散功率PCM：集电结上允许损耗功率的最大值。PC＝ICUCE 安全工作区 反向击穿电压：三极管的各个电极所允许加的最大反向电压。 　U（BR）CEO：集－射极反向击穿电压 　U（BR）CBO：集－基极反向击穿电压 　U（BR）EBO：射－基极反向击穿电压 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。 2.7 uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO