GB/T 12965-2018硅单晶切割片和研磨片.pdf

ICS 29.045 H 82 国 中华人民共和国国家标准 G!J/T 12965-2018 代替 GB/T 12965 2005 硅单晶切割片和研磨片 Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers 2018-09-17 发布 2019-06-01 实施 国家市场监督管理总局峪非 中国国家标准化管理委员会 0(.. I (J GB/T 12965-2018 目U 昌 本标准按照GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本标准代替GB/T 1 2965-2005《硅单品tlJ 剖片和研磨片》 ，与 GB/T 12965-2005 相比， ｜综编辑性 修改外主要技术内容变化如下： 范围中将“本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子姐变掺杂硅单品经切割、双面研磨制备的同 形硅片”改为“本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子姐变掺杂和气相掺杂） 制备的直 径不大于200 mm 的罔形硅单晶切割片和研磨片”（见第 1 章，2005 年版的第1 章）； 一一规范性引用文件中删除了 GB/T 1552 、 GB/T 1554 、 GB/T 12964 ，增加了 GB/T 1 551 、 GB/ T 6619 、 GB/T 26067 、 GB/T 29507、 GB/T 32279 、 GB/T 32280 、 YS/T 28 （见第 2 章， 2005 年版的第2 章）； －一删除了具体术语内容，改为“GB/T 1 4264 界定的术语及定义适用于本文件”（见第 3 章， 2005 年版的第3 章）； 删除了按照硅单晶生长方法进行的分类， 增加了“硅片按表面取向分为常用的{100 ｝ 、 ｛ 111 ｝ 、 { 110 ｝三种”（见 4. 2. 2 ,2005 年版的4.1 ); 一一将“物理性能参数”和“晶体完整性”合并改为“理化性能”（见 5.1 ,2005 年版的 5. 1 、 5. 3); 一一增加了“电学性能气见5. 2); 一一修订了 50. 8 mm、 1 25 mm、 1 50 mm 硅片的直径允许偏差，修订了 1 00 mm、 1 25 mm、 150 mm 直径切荆片的厚度，修订了 150 mm 和 200 mm 直径硅片的翘曲度要求（见表 1, 2005 年版的 表1); 增加了硅片弯rttJ 度的要求（见 5. 3 表1); －一增加了主参考面直径和l 切口尺寸示意罔（见罔 1) ; 一一修订硅片的表面取向为“硅片的表面取向有｛ 100 ｝ 、 ｛ 110｝ 、 ｛ 111 ｝ ，常用的为｛ 100 ｝ 、 ｛ 111 ｝ ” （见 5.4.1,2005 年版的 5 .4.1) ; 一一增加了“未包含的其他品向要求， 由供需双方协商确定”（5.4. 3) ; 删除了“硅片是再制作参考面，由用户决定”和“硅片主、副参考面取向及位置应符合表2 及 表1 的规定”（见 2005 年版的 5.4. 3 、 5.4.4); 一一增加了直径不大于150 mm 硅片主、副参考面位置的示意罔（见罔 2); 一一修订了边缘轮廓的要求（见 5.6 , 2005 年版的 5. 7) ; 一一删除了硅片每个崩边的周长不大于 2