DB61∕T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则.pdfVIP

ICS 27.160 F 12 DB61 陕 西 省 地 方 标 准 DB 61/ T 511—2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则 2011 - 04 - 20 发布 2011 - 05 - 01 实施 陕西省质量技术监督局 发 布 DB61/ T 511—2011 前 言 本标准参考GB/T 12962－2005 《硅单晶》，结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳 能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、 张超。 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布。 I DB61/ T 511—2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则 1 范围 本标准规定了太阳电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12963 硅多晶 SEMI MF 1535－2007 微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 单晶硅圆棒 mono-crystalline silicon round-stick 未经任何机械加工的原始单晶硅棒。 3.2 单晶硅方棒 mono-crystalline silicon square-stick 单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过切断、切方、滚圆加工后的方锭。 4 技术要求 4.1 原材料 产品用原材料应符合GB/T 12963的规定。 1 DB61/ T 511—2011 4.2 外观要求 4.2.1 单晶硅圆棒 单晶硅圆棒表面应光滑，无缺口、裂纹、划痕。 4.2.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒断面应无刀痕、无长度和宽度超过5 mm、深度超过1.5 mm的缺口。 4.3 外形尺寸 4.3.1 单晶硅圆棒 单晶硅圆棒的长度由供需双方协商，直径及偏差见表1。 表1 单晶硅圆棒直径及