SIPOS薄膜工艺及其稳定性研究.pdf

第9 卷第7 期 电 子 与 封 装 第9 卷，第7 期 总 第7 5 期 Vol.9 ，N o .7 ELECTRONICS PACKAGING 2009 年7 月 微 电 子 制 造 与 可 靠 性 SIPOS 薄膜工艺及其稳定性研究 魏敦林 （东南大学IC 学院，南京2 10096 ） 摘　要：SIPOS 半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用，其 不仅能够提升器件的反向击穿电压，而且也极大地提高了器件的可靠性。文章阐述了SIP OS 薄膜 的器件钝化机理，工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响。同时通过实验设计DOE 对LPCVD （化学气相沉积）系统的各个参数进行工程实验，分析了相关参数对薄膜沉积速率及特性的影响， 并通过对实验结果的模型推导，得出相关工艺参数与产品电学性能之间的关系实验模型，并进一 步阐述了工艺稳定性控制的方法，为SIP OS 薄膜在工艺的实际工程应用中以及工艺的稳定性控制 上提供可靠的技术支持。 关键词：掺氧半绝缘多晶硅；钝化；低压化学气相沉积；氧含量；沉积速率；实验设计 中图分类号：TN405　 　　文献标识码：A　　　文章编号：1681- 1070 （2009 ）07-0037-05 SIPOS Process Technology and Stability WEIDun-lin （Southeast University I C Institute, Nanj ing 2 10096, China ） Abstract: SIPOS (semi-insulating polycrystalline silicon) is applied extensively in discrete device passivation, especially for the high voltage device. It not only can increase breakdown voltage but also can improve reliabil- ity of the device greatly. This article elaborates the SIPOS film passivation mechanism, and the impacts to the film characteristic and application from process parameter. It use DOE (design of experiment) method to implement the en gineering experiment for all the factors of LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) system, analyze the impacts to the film deposition rate for related LPCVD parameters, and get the relationship experiment model between process parameters and device electrical performance by experiment data analysis and derivation, and then further introduce the process stability control meth