- 1、本文档共40页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Harbin Institute of Technology
课程设计说明书(论文)
课程名称: 集成电路课程设计
设计题目:二阶带密勒补偿的运算放大器的IC设计与实现
院 系: 微电子科学与技术系
班 级:
设 计 者:
学 号:
指导教师:
设计时间:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学课程设计任务书
姓 名: 院 (系):航天学院微电子科学与技术系
专 业: 电子信息科学与技术 班 号
任务起至日期: 2014 年 9 月 9 日 至 2014 年 9 月
课程设计题目:
二阶密勒带补偿的运算放大器的IC设计与实现
已知技术参数和设计要求:
第一部分 电路设计与模拟
设计一个运算放大器。
·确定电路结构;
·设计电路中各器件尺寸以达到设计参数要求;
·采用Hspice或Spectre对电路进行直流、交流、瞬态等仿真,并对以下放大器相关特性进行仿真,例如:开环增益的幅频和相频响应、CMRR、PSRR、共模输入范围、输出电压摆幅、压摆率(slew rate)、建立时间、噪声、功耗等。
第二部分 版图设计与验证
·掌握所给CMOS集成电路工艺规则,进行版图设计;
·根据CMOS集成电路工艺规则文件,对版图进行DRC验证;
·完成版图与电路的一致性检查(LVS验证);
·完成版图的寄生参数提取(PEX)。
基本要求:
·学会电路原理图和版图编辑软件的使用;
·学会电路模拟软件的使用;
·掌握集成电路性能与电路结构和器件尺寸之间的关系,能够正确分析和设计电路;
·掌握CMOS集成电路制造工艺基本流程及其所需的光刻掩膜版,以及每块光刻掩膜版的作用,能够识别集成电路版图;
·掌握集成电路版图设计规则的含义以及消除或减小寄生效应的措施,能够正确设计集成电路版图;
·学会版图设计规则检查(DRC)、电路与版图一致性检查(LVS)、版图参数提取(LPE/PEX)软件的使用。
·要求学生设计实践结束后撰写实践报告,提供各个设计实践环节的结果。
工作量:
本课程设计在每位同学学习集成电路设计及版图EDA工具的使用的基础上,在备选参考题目中任选其一,完成电路设计及版图设计。
熟悉开发环境、学习电路设计和版图设计EDA工具使用:10学时
分析题目、确定设计方案:10学时
设计、验证以及仿真分析、整理数据:20学时
工作计划安排:
2014.9.9 -- 2014.9.10 学习spectre等电路设计EDA工具软件,分析设计题目
2014.9.11 -- 2014.9.14 设计电路,进行电路仿真和验证
2014.9.15 -- 2014.9.16 学习virtuoso、calibre等版图设计EDA工具软件
2014.9.17 -- 2013.9.19 根据所给的工艺规则进行版图设计,并整理数据
2014.9.20开始 撰写课程设计报告
同组设计者及分工:
指导教师签字___________________
年 月 日
教研室主任意见:
教研室主任签字___________________
年 月 日
*注:此任务书由课程设计指导教师填写。
一.功能描述
设计如下图的放大器,负载电容CL = 125fF。运算放大器指标制定:Av 9000V/V,VDD = 3.3V, GB 25MHz ,SR 30V/μs ,60° 相位裕度, ICMR = 1.3-2.8V,Vout 摆幅 =0.5-3.0V,Pdiss≤1mW。
基于cadence软件仿真环境,设计时MOS管参数取下列值:VTHN=0.645V,| VTHP | =0.867V,Kn’=110 μA/V2,Kp’=50 μA/V2 ,λn=
您可能关注的文档
最近下载
- 中医气功学导论期末试卷.docx
- 请你谈一下你为什么要加入中国共产党谈谈为什么加入中国共产党.pptx VIP
- 2024南方电网广西电网公司校园招聘公开引进高层次人才和急需紧缺人才笔试参考题库(共500题)答案详解版.docx
- DB37T19976—2011山东物业服务规范第1部分住宅物业.doc
- 七年级心理健康教案完整版.docx
- 赤泥综合利用项目可行性研究报告(完整案例).pdf
- 2024款比亚迪海豹06DM-i豪华型尊贵尊荣尊享旗舰_用户手册驾驶指南车主车辆说明书电子版.pdf
- 企业技术改造资金绩效评价总结报告.doc
- 《生物化学》全套教学课件(共13章完整版).pptx
- 15-彭向刚-学习领导科学提升领导力(清华)__(全国各校课件参考).ppt
文档评论(0)