集成电路课程设计之运算放大器设计实现.docVIP

集成电路课程设计之运算放大器设计实现.doc

  1. 1、本文档共40页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Harbin Institute of Technology 课程设计说明书(论文) 课程名称: 集成电路课程设计 设计题目:二阶带密勒补偿的运算放大器的IC设计与实现 院 系: 微电子科学与技术系 班 级: 设 计 者: 学 号: 指导教师: 设计时间: 哈尔滨工业大学 哈尔滨工业大学课程设计任务书 姓 名: 院 (系):航天学院微电子科学与技术系 专 业: 电子信息科学与技术 班 号 任务起至日期: 2014 年 9 月 9 日 至 2014 年 9 月 课程设计题目: 二阶密勒带补偿的运算放大器的IC设计与实现 已知技术参数和设计要求: 第一部分 电路设计与模拟 设计一个运算放大器。 ·确定电路结构; ·设计电路中各器件尺寸以达到设计参数要求; ·采用Hspice或Spectre对电路进行直流、交流、瞬态等仿真,并对以下放大器相关特性进行仿真,例如:开环增益的幅频和相频响应、CMRR、PSRR、共模输入范围、输出电压摆幅、压摆率(slew rate)、建立时间、噪声、功耗等。 第二部分 版图设计与验证 ·掌握所给CMOS集成电路工艺规则,进行版图设计; ·根据CMOS集成电路工艺规则文件,对版图进行DRC验证; ·完成版图与电路的一致性检查(LVS验证); ·完成版图的寄生参数提取(PEX)。 基本要求: ·学会电路原理图和版图编辑软件的使用; ·学会电路模拟软件的使用; ·掌握集成电路性能与电路结构和器件尺寸之间的关系,能够正确分析和设计电路; ·掌握CMOS集成电路制造工艺基本流程及其所需的光刻掩膜版,以及每块光刻掩膜版的作用,能够识别集成电路版图; ·掌握集成电路版图设计规则的含义以及消除或减小寄生效应的措施,能够正确设计集成电路版图; ·学会版图设计规则检查(DRC)、电路与版图一致性检查(LVS)、版图参数提取(LPE/PEX)软件的使用。 ·要求学生设计实践结束后撰写实践报告,提供各个设计实践环节的结果。 工作量: 本课程设计在每位同学学习集成电路设计及版图EDA工具的使用的基础上,在备选参考题目中任选其一,完成电路设计及版图设计。 熟悉开发环境、学习电路设计和版图设计EDA工具使用:10学时 分析题目、确定设计方案:10学时 设计、验证以及仿真分析、整理数据:20学时 工作计划安排: 2014.9.9 -- 2014.9.10 学习spectre等电路设计EDA工具软件,分析设计题目 2014.9.11 -- 2014.9.14 设计电路,进行电路仿真和验证 2014.9.15 -- 2014.9.16 学习virtuoso、calibre等版图设计EDA工具软件 2014.9.17 -- 2013.9.19 根据所给的工艺规则进行版图设计,并整理数据 2014.9.20开始 撰写课程设计报告 同组设计者及分工: 指导教师签字___________________ 年 月 日 教研室主任意见: 教研室主任签字___________________ 年 月 日 *注:此任务书由课程设计指导教师填写。 一.功能描述 设计如下图的放大器,负载电容CL = 125fF。运算放大器指标制定:Av 9000V/V,VDD = 3.3V, GB 25MHz ,SR 30V/μs ,60° 相位裕度, ICMR = 1.3-2.8V,Vout 摆幅 =0.5-3.0V,Pdiss≤1mW。 基于cadence软件仿真环境,设计时MOS管参数取下列值:VTHN=0.645V,| VTHP | =0.867V,Kn’=110 μA/V2,Kp’=50 μA/V2 ,λn=

文档评论(0)

peace0308 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档