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4.2.2双短路和“匹配一短路’’三同轴测试装置内回路远端件结构比较…24
4.3双短路三同轴测试装置外回路结构设计详述……………………………….26
第五章射频同轴电缆转移阻抗测试与分析…………………………………………一28
5.1测试准备工作…………………………………………………………………。28
5.1.1射频测量设备…………………………………………………………。28
5.1.2阻抗匹配电路…………………………………………………………………。29
5.1.3受试电缆准备…………………………………………………………。30
5.2测试步骤与测试数据计算…………………………………………………….31
5.3测试动态范围分析……………………………………………………………..33
5.3.1射频测量仪器的测试动态范围………………………………………。33
5.3.2双短路三同轴法和“匹配一短路”三同轴法A型测试动态范围分析34
5.4测试数据计算、分析与总结………………………………………………….35
5.4.1双短路三同轴法同轴电缆转移阻抗测试数据分析…………………。35
5.4.2双短路三同轴法和线注入法同轴电缆转移阻抗测试数据分析和比较
…………………………………………………………….……………………………………………….:;9
第六章任务总结与展望……………………………………………………………….41
参考文献…………………………………………………………………………………42
致谢…………………………………………………………………………………………………………………。44
IV
第一章绪论
第一章绪论
1.1同轴电缆屏蔽性能研究背景与意义
同轴电缆广泛用于各种电子电气设备和系统之间的联接,以及不同设备和系统之间
信号的有效传输。用同轴电缆长距离传输信号时,信号质量及稳定性很大程度上取决于
传输线路对外界电磁干扰的防护能力。作为一个无源器件,电缆本身不会成为电磁干扰
源;但作为系统内各部分之间的信号和能量的传输通道,电缆必然会对系统的信息泄漏
和抗干扰性能产生重要影响。采用屏蔽设计的电缆,就是利用金属屏蔽层将电缆和外界
环境隔开。一方面可以有效抑制空间中的电磁场对传输线路的影响,保证传输信号的质
量,避免通信失效、噪音增大、传输误码、信号误差等现象;另一方面可以降低电缆内
传输信号对外界环境的电磁辐射,减小对周围环境的电磁污染和对外界设备的电磁干
扰,同时防止传输信息泄漏。
衡量同轴电缆屏蔽性能的指标有两个:一个是屏蔽衰减;另一个是转移阻抗。屏蔽
衰减直接反映电缆的屏蔽性能,而转移阻抗间接反映电缆的屏蔽性能,两者是衡量电缆
屏蔽性能的不同指标,前者基于电磁场理论,而后者基于线路理论。目前使用最广泛的
指标是转移阻抗,因为测试电缆的转移阻抗较测试电缆的屏蔽衰减更为简单,成本更低。
转移阻抗值越大,电缆的屏蔽性能越差,反之电缆的屏蔽性能越好。
虽然根据同轴电缆屏蔽层的材料、结构、尺寸等参数,并结合具体的屏蔽机理,可
以建立相关的理论模型,推导出同轴电缆屏蔽性能的相关计算公式,但实际工作中最可
靠的方法还是通过测试来了解电缆的屏蔽性能。理论模型和计算公式可以用来反映理想
情况,却无法反映实际应用中出现的各种问题。
在各种国际标准中,电缆屏蔽性能的测试方法多达几十种,其中有直接测试屏蔽衰
减的方法,也有间接测试转移阻抗的方法【ld4。。这些方法都有各自的优点和缺点,因此
有必要对各种测试方法的特性进行分析和比较,以便在不同情况下进行选用。
1.2同轴电缆屏蔽性能测试方法国内外研究现状
国外对电缆的屏蔽性能及其测试方法早已进行了深入而彻底的研究,并制定了相关
测试频率上限从几百兆赫兹拓展到了3.8GHz,其测试频率上限甚至超过了线注入法,
一套名为CoMeT的高频三同轴测试装置,可以用来测试同轴电缆,电缆组件和连接器
的屏蔽衰减。经实验验证,该装置性能卓越【16J。
国内对电缆的屏蔽性能及其测试方法的研究虽然落后于发达国家,但也取得了长足
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