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* 13、研磨--减薄 GaN缓冲层 n-GaN n-GaN MQW AlGaN P-GaN ITO SIO2 Cr-Pt-Au SIO2 145A SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 蜡纸厚度25um 设备:减薄机 SOP:《剪薄机作业指导书-蓝宝石》C3-55-212 注意项:减薄程序及机台点检表,油石、砂轮、减薄液,水泵有无正常喷水 程序名称 使用权限说明 DUMMY.han 设备供应商设备调试 TS0709.han 生产7*9/12*13芯片使用 TS0709.han 生产1023芯片使用 GONGCHEGN.han 研发工程实验使用 * 13.2 研磨----抛光 GaN缓冲层 n-GaN n-GaN MQW AlGaN P-GaN ITO SIO2 Cr-Pt-Au SIO2 86A SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 设备:抛光机 SOP:《研磨机作业指导书-蓝宝石》C3-55-213 注意项:研磨程序及研磨时间确认、研磨液位确认 * 14、划片 SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 深度:31±2um 宽度:9-10um 背面因经过研磨,所以划痕明显 设备:划片机 注意项:机台点检表及程序确认、X/Y轴划深校验、 切割机滤芯更换周期 * 14.2 裂片 SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 沟槽中是否有SIO2,须看下光刻板 深度:31±2um 宽度:9-10um 劈刀 设备:裂片机 工艺:机台点检表,产品裂偏及双胞确认。 * 与COW测试不同点: 1、大圆片:不加ESD、1/100抽测,需打印Mapping图 2、分选片:1000vESD、全测 注意项:1、收光器的选择:显微镜、积分球 2、过滤网的选择:ST在10-25之间,15为最佳 3、规格名称的选择: 4、静电箱开启、ESD的选择 5、擦针:音乐响起,擦针同时需确认针痕位置及大小 6、换针;30万 15、后制程测试 * AOI(Automatic Optic Inspection)的全称是自动光学检测,是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是近几年才兴起的一种新型测试技术,但发展迅速,目前很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时,机器通过摄像头自动扫描PCB,采集图像,测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较,经过图像处理,检查出PCB上缺陷,并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来,供维修人员修整。 通俗的讲,对大圆片外观进行分类,减少手选的工作量,减少方片的重排率,提高工作效率。 注意项:条形码,良率确认,Mapping中T字和光刻点是否正确 。。。。 16、AOI * 随着 LED 技术的不断提高,其应用范围越来越广,人们 对 LED 的质量要求也越来越高。当 LED 作为阵列显示或 显示屏器件时,由于人眼对于颜色波长和亮度的敏感性,使 用没有分选过的 LED 就会产生不均匀的现象,影响人们的 视觉效果。因此对 LED 的主波长、发光强度、光通亮、色 温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分 选变的尤为重要。 分选方式: 1.将划片后的晶圆按照点测数据进行分类 2、重排 注意项:Mapping图像检查,是否经过AOI,产品排列 对点检查,顶针及吸嘴等 15、自动分选 蓝膜 吸嘴 顶针 芯片制造完成 成品芯片 * * 数码管(Display) 大功率(High Power Led) 贴片(SMD) 食人鱼(P4) 普通LED(P2) 下游成品 * 分享完毕,谢谢各位! * * * * 蓝宝石工艺制程培训资料 * LED:Light Emitting Diode的简称,即发光二极管,是一种将电转化为可见光的物质,其核心是PN结,当P区的空穴和N区的电子复合,将多余的电势能以辐射光子的形式释放出来。 LED芯片分二元,三元,四元芯片的主要
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