国家标准低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD-有色金属标准质量.DOC

PAGE \* MERGEFORMAT 6 国家标准《太阳能电池用砷化镓抛光片》 （送审稿）编制说明 工作简况 立项目的和意义 砷化镓是微电子和光电子的基础材料，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。半导体低位错密度砷化镓晶片广泛用于研制可见光激光器、半导体大功率激光器、发光二极管和太阳能电池。由于砷化镓独特的半导体特性，使得其成为宽带通讯（移动通讯、光纤通讯）产业、卫星通讯和卫星定位系统（GPS）及现代国防建设的基础材料，并能带动和促进下一代半导体材料的加速发展，成为发达国家与重大的发展中国家都非常重视的战略性基础材料产业。 砷化镓项目实施符合《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》能源领域可再生能源低成本规模化开发利用优先主题；符合前沿技术中太阳能电池相关材料及其关键技术研究的重点方向。目前，随着新能源的发展，砷化镓太阳能电池作为优质的电池材料，其用量越来越大，用途也越来越多，但目前国内外尚无太阳能电池用砷化镓抛光片的产品标准，只有一个太阳能电池用砷化镓单晶棒标准GB/T 25075-2010《太阳能电池用砷化镓单晶》。本标准的制定将利于太阳能电池用砷化镓抛光片的生产、销售和使用，有利于提升我国砷化镓材料高端产品的核心竞争力。 2、任务来源 根据《国家标准委关于下达2014年第二批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2014]89号）的要求，由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中科院半导体研究所等单位负责编制《太阳能电池砷化镓单晶抛光片》。为了更加符合语言叙述习惯，改标准名称为《太阳能电池用砷化镓抛光片》。 3、标准主编单位简况 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司是一家专业从事高效率太阳能电池用锗单晶、砷化镓单晶等半导体晶体材料产品研发、生产、销售的高科技企业。为充分发挥中国科学院半导体所在半导体晶体材料研究开发领域的优势及云南临沧鑫圆锗业股份有限公司的资源优势和产业化生产经验优势，满足国内外太阳能、LED产业的高速发展，于2008年6月在昆明高新区共同设立“云南中科鑫圆晶体材料有限公司”（以下简称“中科鑫圆”）。作为“云南锗业002428”公司上市后募投项目，中科鑫圆投资2亿元于2013年在昆明市呈贡马金铺高新产业开发区建成投产了年产80万片4英寸“开盒即用”砷化镓 中科鑫圆公司研究掌握了VGF单晶炉设计、制造及单晶生长热场设计、单晶生长工艺和开盒即用晶片加工工艺等核心产业化生产技术。生产的砷化镓晶片被国内外客户广泛应用于航空航天太阳能电池和地面聚光光伏电站等高科技领域，填补了国内空白，达到国际先进水平。中科鑫圆公司先后承担了昆明市重大科技项目、云南省重点科技项目和国家科技支撑计划等多项重大科技项目。主持起草了《太阳能电池用锗单晶》、《太阳能电池用砷化镓单晶》等多项国家标准。 4、主要工作过程 本项目在下达计划项之日起，在云南锗业内部召开了关于标准起草的工作会议，布置了标准起草的相关工作，产品测试和数据收集等工作。2015年1月，起草单位将初稿发送给编制组其他成员征求意见，经过编制组的多次讨论和修改形成了讨论稿。 2015年7月，由全国半导体材料标准化技术委员会主持在焦作召开了《太阳能电池用砷化镓抛光片》标准的第一次会议，与会专家对标准的讨论稿进行了认真、热烈的讨论，从术语定义、表面状态、规格、外观检验等多方面提出修改建议。根据昆明会议的要求，编制组对标准进行了相关的修改，于2015年10月形成了征求意见稿，并发函相关单位征求意见，具体见意见汇总处理表。 2015年12月，由全国半导体材料标准化技术委员会主持在呼和浩特召开了《太阳能电池用砷化镓抛光片》标准的第二次会议，与会专家对标准的讨论稿进行了认真、热烈的讨论，从术语定义、细节表述、检验结果判断等多方面提出修改建议。根据呼和浩特会议的要求，编制组对标准进行了相关的修改，于2016年4月形成了审定稿，并发函相关单位征求意见，具体见意见汇总处理表。 根据行业内征求的意见，编制组对预审稿进行修改、完善，形成了审定稿，待2016年4月份会议中进行讨论。 标准编制的原则和确定主要内容的依据 标准编制原则 本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等信息，初步确定了《太阳能用砷化镓抛光片》标准起草所遵循的基本原则和编制依据： 1）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求； 2）根据国内太阳能用砷化镓抛光片生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用性； 3）根据技术发展水平及测试数据确定技术指标取值范围； 4）按照GB/T 1.1-2009和有色加工产品标准和国家标准编写示例的要求进行格式和结构编写。 确定标准主要内容的论据