无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的企业生产工艺技术设计.doc

资料 . 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc327797918 1前言 PAGEREF _Toc327797918 \h 1 HYPERLINK \l _Toc327797919 2 工艺流程 PAGEREF _Toc327797919 \h 2 HYPERLINK \l _Toc327797920 2.1 工艺的选择 PAGEREF _Toc327797920 \h 2 HYPERLINK \l _Toc327797921 2.1.1粉料的制备 PAGEREF _Toc327797921 \h 2 HYPERLINK \l _Toc327797922 2.1.2成型方式 PAGEREF _Toc327797922 \h 2 HYPERLINK \l _Toc327797923 2.1.3烧结方式 PAGEREF _Toc327797923 \h 3 HYPERLINK \l _Toc327797924 2.2 工艺流程图 PAGEREF _Toc327797924 \h 4 HYPERLINK \l _Toc327797926 3 生产过程简述 PAGEREF _Toc327797926 \h 4 HYPERLINK \l _Toc327797927 3.1 原料配比 PAGEREF _Toc327797927 \h 4 3.2 生产工艺4 HYPERLINK \l _Toc327797928 3.2.1浆料的制备过程 PAGEREF _Toc327797928 \h 5 HYPERLINK \l _Toc327797929 3.2.2造粒及粉料性能检测 PAGEREF _Toc327797929 \h 5 HYPERLINK \l _Toc327797930 3.2.3成型 PAGEREF _Toc327797930 \h 6 HYPERLINK \l _Toc327797931 3.2.4烧结 PAGEREF _Toc327797931 \h 6 HYPERLINK \l _Toc327797932 3.2.5后续机械加工处理 PAGEREF _Toc327797932 \h 6 HYPERLINK \l _Toc327797933 5 主要设备简介 PAGEREF _Toc327797933 \h 7 HYPERLINK \l _Toc327797934 5.1 电子天平 PAGEREF _Toc327797934 \h 7 HYPERLINK \l _Toc327797935 5.2 超声波清洗器 PAGEREF _Toc327797935 \h 8 HYPERLINK \l _Toc327797936 5.3 三维混料机 PAGEREF _Toc327797936 \h 8 HYPERLINK \l _Toc327797937 5.4 喷雾干燥器 PAGEREF _Toc327797937 \h 9 HYPERLINK \l _Toc327797938 5.5 流速计 PAGEREF _Toc327797938 \h 10 HYPERLINK \l _Toc327797939 5.6 四柱式万能液压机 PAGEREF _Toc327797939 \h 10 HYPERLINK \l _Toc327797940 5.7 模具 PAGEREF _Toc327797940 \h 11 HYPERLINK \l _Toc327797941 5.8 真空烧结炉 PAGEREF _Toc327797941 \h 12 HYPERLINK \l _Toc327797942 6 产品指标 PAGEREF _Toc327797942 \h 13 HYPERLINK \l _Toc327797943 6.1 粉料性能检测 PAGEREF _Toc327797943 \h 13 HYPERLINK \l _Toc327797944 6.2.2 结果讨论 PAGEREF _Toc327797944 \h 16 HYPERLINK \l _Toc327797945 7 小结 PAGEREF _Toc327797945 \h 17 . 1前言 碳化硅（SiC）在自然界中几乎不存在，所以SiC是人工合成材料。随后在陨石中偶然发现SiC 化合物的存在。1893年美国人Acheson首先用SiO2碳还原法（SiO2+3C=SiC+2CO(g)）人工合成SiC粉末，该法至今仍是碳化硅粉体合成机材料制备的主要方法，其后又出现了硅-碳直接合成法、气相沉积法、激光法、有