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超薄硅和砷化镓基板制造新概念 关键词：薄晶圆技术，切割变薄，可逆粘接技术，静电载体基板，“智能载波” 摘要： 新的制造概念，处理和加工的薄膜半导体基板上的书面报告。以前表明硅片的技术最近被转移到砷化镓衬底上，在本文提出。作为一个发展的结果，工作的可行性，为准备20微米薄砷化镓晶片，显示机械灵活性被证明。由于应用程序的“划片，由稀”超薄的砷化镓芯片的边缘概念的微观缺陷，切实消除。 此外，提出一个新的晶圆支持技术：“智能运营商”，使用的设备和支持基板的临时键合静电激活载体板。他们第一次薄的砷化镓晶圆处理和加工的申请提交的文件。 引言： 背面完全处理的产品晶圆变薄过去几年内已成为广泛使用的技术在半导体行业。在芯片卡IC和增加功率半导体器件和高频设备的电气性能要求的情况下极低的封装高度不断增加的需求是薄晶圆技术的发展的强大推动力。晶圆制造在厚度小于100微米的范围内，导致安全脆弱的基板和单一模具的加工处理和具有挑战性的任务超薄砷化镓领先的电子或光电通信领域的高端产品，分别是一个功能强大的物质。 砷化镓技术的主要目的是逃避的导热性能较差，并通过芯片背面的电气互连基板，以消除通孔长。超薄砷化镓芯片使散热增加，简化垂直互连，提高设备的电气参数，通过消除寄生元件。 超薄砷化镓领先的电子或光电通信领域的高端产品，分别是一个功能强大的物质。 砷化镓技术的主要目的是逃避的导热性能较差，并通过芯片背面的电气互连基板，以消除通孔长。超薄砷化镓芯片使散热增加，简化垂直互连，提高设备的电气参数，通过消除寄生元件。 减薄和切割，硅和砷化镓晶圆 弗劳恩霍夫研究所IZM的研究工作主要集中可逆性安装的载体基板上开发新的加工和处理技术和材料强度薄单芯片[1]的分析。原来的薄晶圆切割半导体基板变薄[2]的弯曲断裂力和行为上有重大影响。超薄硅样品的力学性能最佳的应用技术概念“划片变薄”（“DbyT”）完成。 1）“划片，由稀”（“DbyT”）的概念：根据“DbyT”概念战壕晶圆看到，或干法刻蚀技术更有利，在正面与明确深处准备一个器件晶圆。之后，晶圆被暂时固定载体基板上。 预刻线图案 设备晶圆 晶圆键合处理晶片 设备晶圆 变薄的过程中处理基板 分离薄膜集成电路 图1：超薄半导体器件制备“划片，由稀释”概念的示意图流程。 芯片分离发生在背面减薄时，打开最后的前端凹槽的地方。如果最后一步是背面旋转蚀刻工艺槽四舍五入的腐蚀剂和可能的残余微裂纹被删除。此外，为纾缓压力腐蚀剂服务。 2）划片变薄硅片：这个概念是完全适合小的芯片尺寸，E。克。非接触式智能卡应答器集成电路。由于从100微米至10微米干蚀刻的战壕，每片晶圆的芯片量的可能性，以减少切割线的宽度可以强烈增加。 “DbyT”法的力量表现在图2：硅“E-CUBE”边缘尺寸为30×30×35μm3准备。在这种情况下，芯片分离槽等离子干法刻蚀。据推测，这种微小的硅对象，进一步装备与IC结构，可能成为未来的自组装技术有兴趣。 图2：E-硅“魔方”（尺寸：30×30×35μm3）准备根据“划片的细化”的概念。 3）细化：商业可用的砷化镓晶圆与原始厚度100微米（100）砷化镓晶圆载体基板上暂时固定温度释放磁带的援助。这样的磁带都涂有两种不同的聚合物粘合剂：一个永久胶粘剂的侧面和一个热可拆卸侧。随后，砷化镓栈细化标准自旋蚀刻工艺。由于背面自旋蚀刻中等我们把过氧化氢（30％）/硫酸（96％）（1:1）温度在65°C。通过使用该系统的化学蚀刻使砷化镓除外[111]表面的高品质，低指数方向的砷化镓表面。还含有HF（40％）/硝酸（65％）/醋酸（100％）/水（1:3:2,3:2,5）在室温下的媒介准备像表面的高品质的一面镜子。为进一步利用这样的蚀刻系统不会降低典型的接触金属化，磷酸蚀刻系统相比[5]。 图3：柔韧砷化镓晶圆，厚度为25微米，直径：3英寸晶圆是在磁带上的夹层。 加工砷化镓晶圆从承运人衬底剥离的温度为105°C。永远黏贴面仍附着在砷化镓晶圆前端作为保护。因此，我们准备一个灵活的残余厚度25微米的砷化镓晶片。 4）薄砷化镓晶圆DbyT：作为最新的科技工作的经验，在处理和硅片减薄，转让和应用的砷化镓（100）衬底上。据“DbyT”概念的砷化镓（100）晶圆暂时安装在刚性载体基板。根据以前公布的结果前端凹槽，通孔定义芯片的面积和厚度都铭刻在浸泡后平版步骤[4,5]3，蚀刻过程。我们比较了他们的蚀刻腔的形状和其蚀刻率（图4A，B）两个蚀刻解决方案。卵裂方向是（110）面，在这种情况下，接收普通台面剩余砷化镓和蚀刻的战壕旋转帽形顶端形截面的形型材。过氧化氢（30％）/磷酸（％）（1:1）（图4a）系统提供了高品质良好定义的配置文件和平面蚀刻底部