段辉高-3-芯片制造中沾污控制.pptxVIP

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2018-10-12 发布于浙江
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段辉高-3-芯片制造中沾污控制.pptx

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段辉高-3-芯片制造中沾污控制

第四章芯片制造中的沾污控制;2;3;本章的学习目标;硅片制造的极端要求;6;7;为什么要实行沾污控制？;沾污的影响;10;本章主要内容;沾污的类型;沾污的类型;14;PM2.5;PM2.5;17;18;金属杂质导致了半导体杂质中器件成品率的减少，包括氧化物－多晶硅栅结构中的结构性缺陷。额外的问题包括pn结上泄露电流的增加以及少数载流子寿命的减少。可动离子沾污（MIC）能迁移到栅结构的氧化硅界面，改变开启晶体管所需的阈值电压（见图）。由于它们的性质活泼，金属离子可以在电学测试和运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间失效。半导体制造的一个主要目标是减少与金属杂质和MIC的接触。;沾污种类-有机沾污;沾污种类-自然氧化层 ;沾污种类-自然氧化层 ;沾污种类-静电释放;24;沾污的源与控制;沾污源-空气;27;沾污源-人;29;30;沾污控制-厂房;沾污控制-洁净厂房;33;34;35;36;37;沾污源与控制-水;39;40;超纯水;沾污源-工艺用化学品 ;43;沾污源-化学气体;沾污源-生产设备;46;工作台设计;48;49;微环境净化间的概念持续不断地被重新评估，主要是因为更严格控制沾污的需要以及减少净化间需要的巨大成本。在工作台所处的具体位置控制沾污，采用微环境来加工硅片，已经引起越来越大的兴趣。微环境是指，在硅片和净化间环境不位于同一工艺室时，通过一个屏蔽来隔离开它们所创造出来的局部环境（见图）。这一概念也被称为硅片隔离技术。微环境区域可以包括用来支撑硅片的片架、硅片工艺室、装载通道和储藏区域。 ;51;硅片清洗;清洗贯穿整个工艺流程;硅片湿法清洗-RCA清洗工艺;55;SC-2;Piranha工艺和HF工艺;58;典型的硅片湿法清洗顺序;清洗设备-超声清洗;清洗设备-超声清洗;清洗设备-超声清洗;替代方案;新的清洗方案-干法清洗;新的清洗方案-IMEC清洗;干燥技术;清洗效果检查