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英飞凌第4代IGBT芯片技术
英飞凌第4代IGBT芯片技术-IGBT4
IGBT4模块封装
IGBT4:基于IGBT3技术
IGBT3 IGBT4
沟槽栅
降低饱和电压,维持开关速度
场终止层
减小芯片厚度,降低饱和电压
共同的优点:
饱和电压正温度系数
短路承受时间10μs
饱和电压低
9-Jul-09 Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved. Page 2
IGBT4:基于IGBT3技术,按应用优化特性
分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片
小功率IGBT4–T4 中功率IGBT4–E4 大功率IGBT4–P4
为中、小功率应用设计 为中、大功率应用优化设 为大功率应用优化设计
用于中、小功率模块 用于中、大功率模块 用于大功率模块
在T3的基础上 在E3的基础上 在E3的基础上
- 提升开关速度 - 提升开关速度 - 使关断过程“软”
- 使关断波形更平滑一些 - 使关断波形更平滑一些 - 降低关断速度
电压等级:1200V 电压等级:1200V,1700V 电压等级:1200V,1700V
适用开关频率:≤20kHz 适用开关频率:≤8kHz 适用开关频率:≤3kHz
配用小功率EmCon4二极管 配用中功率EmCon4二极管 配用大功率EmCon4二极管
9-Jul-09 Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved. Page 3
IGBT4(1200V):特征参数的调整
P4
IGBT2–DLC
IGBT3–E3
耗 IGBT2–DN2
能 IGBT3–T3 E4
关 -15% Eoff IGBT2–KS4
开
-20% Eoff T4
饱和电压
1 2 3 4 5
T4-小功率IGBT4:开关能耗低于T3 (提高了开关速度)
E4-中功率IGBT4:开关能耗低于E3 (提高了开关速度)
P4-大功率IGBT4:开关能耗高于E3 (降低了关断速度,使关断“柔软”)
9-Jul-09 Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights res
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