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《微电子技术综合实践》设计报告
题目： P 阱 CMOS 芯片制作工艺设计
院系： 自动化学院电子工程系
专业班级： 微电 111
学生学号： 3100433031
学生姓名： 王刚
指导教师姓名： 王彩琳 职称： 教授
起止时间： 6 月 27 日—7 月 8 日
成绩：
0
1
目 录
目录
一、设计要求
1、设计任务
2、特性指标要求 0
3、结构参数参考值 0
4、设计内容 0
二、MOS 管的器件特性设计 0
1、PMOS 管参数设计与计算 0
2、NMOS 管参数设计与计算 1
三、工艺流程分析 3
1、衬底制备 3
2、初始氧化 3
3、阱区光刻 4
4、P 阱注入 4
5、剥离阱区的氧化层 4
6、热生长二氧化硅缓冲层 4
7、LPCVD 制备 Si N 介质 4
3 4
8、有源区光刻：即第二次光刻 4
9、N 沟 MOS 管场区光刻 5
10、N 沟 MOS 管场区 P+注入 5
11、局部氧化 5
12、剥离 Si N 层及 SiO 缓冲层 5
3 4 2
13、热氧化生长栅氧化层 6
14、P 沟 MOS 管沟道区光刻 6
15、P 沟 MOS 管沟道区注入 6
16、生长多晶硅 6
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