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M6103
概述 特点
软启动功能
M6103 是一款集成了专门的电流模式PWM控制器,并集成
了高压功率MOSFET,适用于高性能、低待机功耗低成本的离 内置650V4A功率MOSFET
线式反激开关电源中。
高效率低待机功耗
M6103具有软启动的功能,软启动时间4MS,优化的Hiccup 异优的线电压调整率和负载调整率
Mode设计,提高了效率,减低了待机功耗。正常工作时无
低启动电流
音频噪声干扰。固定工作频率65KHZ。内置谐波补偿电路,
低的启动电流和工作电流,内置前沿消隐电路。 低工作电流
M6103具有多重保护功能以加强系统可靠性,包括VDD欠压 短路/开路保护过载过压保护
锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP)及嵌位、逐周期电流
限制(OCP)、过载保护(OLP)、图腾柱输出驱动高电平 逐周期电流限流
嵌位。所有的保护状态都具有自动重启功能。另外,芯片
芯片供电欠压保护
内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易的获得良
好的EMI性能。 自动重启功能
DIP8封装
图1 M6103典型应用电路图
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M6103
订购型号 封装 温度范围 包装形式 打印
M6103 DIP-8 -40 105 50PCS/ M6103
°到 ° 管装 管
M6103管脚封装图
管脚描述
管脚位 管脚名称 功能描述
1 GND IC接地脚
2 VDD-G 内置开关MOSFET驱动电源输入端
3 VDD IC电源输入脚
4 FB 反馈信号输入脚
5 CS 电流采样信号输入脚
6,7,8 DRAIN 内置功率MOS漏极输入端
第2页共9页
M6103
极限参数(注1)
符号 参数
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