功率场效应管(moset)特性与驱动电路研究.docx

专业： 电子信息工程 姓名： 学号： 日期： 2011年 地点： 教二 实验报告课程名称： 电力电子器件 指导老师： 陈辉明 成绩： 实验名称： 实验类型： 同组学生姓名： 一、实验目的和要求（必填） 二、实验内容和原理（必填）三、主要仪器设备（必填） 四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理 六、实验结果与分析（必填）七、讨论、心得实验一 功率场效应管（MOSFET）特性与驱动电路研究一、实验目的和要求1、熟悉 MOSFET 主要参数的测量方法。2、掌握 MOSFET 对驱动电路的要求。3、掌握一个实用驱动电路的工作原理和调试方法。4、对 MOSFET 主要参数、开关特性、使用方法进行研究。二、实验内容和原理实验原理：见《电力电子器件实验指导书》（汤建新编著）17 页至26 页“功率场效应管特性与驱动电路研究”中“二.实验线路及原理”。实验内容：1、MOSFET 静态特性及其主要参数测试（1） 开启阀值电压VGS(th)测试（2） 跨导gm 测试（3） 转移特性测量（4） 输出特性测量（5） 导通电阻Ron 的测量1. 驱动电路研究（1） 光耦合与磁耦合对输入信号的影响比较（2） 驱动电路的输入、输出延迟时间的测量2. 动态特性测试（1） 电阻负载MOSFET 开关特性测试（2） 电阻电感性质负载时, MOSFET 开关特性测试（3） RCD 缓冲电路对MOSFET 开关特性及VDS 波形的影响测试（4） 栅极反压电路对MOSFET 开关特性的影响测试（5） 不同栅极电阻对MOSFET 开关特性的影响测试三、主要仪器设备1、DSX 01 电源控制屏2、DDS 16“电力电子自关断器件特性与驱动电路”实验挂箱3、DT 10“直流电压电流表实验挂箱”4、数字示波器等四、实验数据记录处理与结果分析1、MOSFET 静特性及主要参数测试1.1 开启阀电压 Vgs(th)测试 Id/mAVgs/V02.650.262.71812.822.232.917.373.01221.83.159.13.16176.53.272453.297343.3610483.413703.44因此, 开启电压测量为：VGS (th)=2.85V1.2 跨导 gm 测量根据公式计算跨导如下表： VgsGm2.655.22.76.1666672.8213.666672.9150.392163.012163.97733.1621.66673.161067.2733.2734253.296985.7141.3 转移特性测量转移特性曲线如下：1.4 输出特性测量(1) 正向输出特性曲线测量 选择 Vgs=3V Vgs=3.3V Vgs=3.6V 时测量 VDSIDVDSIDVDSID0.298.210.2521.40.24423.60.468.740.5347.80.5456.40.689.040.7868.6198.71.769.590.9886.81.5146.32.69.811.16101.72.021954.210.111.5124.63.022896.4810.431.83137.543749.1910.82.25146.85.148210.5110.963.35157.76.2358711.0411.045.91174.98.9283412.9711.318.05190.410.4297313.9311.4610.8221312.5115515.8711.7412.6623714.58122717.1111.8214.4326118126518.2111.9215.0627919.2712.119.0137220.48499