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《碘化汞探测器》ppt课件
HgI2探测器
张德龙1
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碘化汞及其探测器简介
发展历史
应用领域
工作原理及特点
HgI2及其探测器简介
碘化汞晶体
碘化汞有两种变体。一种是红色碘化汞,四方晶体。一种是黄色碘化汞,正交晶体。不溶于水,溶于甲醇、乙醇、氯仿、丙酮等溶液。可用于医药,并用作化学试剂。碘化汞晶体有剧毒,如果泄漏将引起环境危害。
碘化汞在自然界中以极其罕见的碘汞矿的形式存在。
HgI2晶体制备通常采用气相法沉积和溶液法。近几十年来,国内外对于溶液法生长碘化汞的研究比较重视.
α-HgI2晶体的晶胞模型
碘化汞探测器的实验制备
从生长的样品中选取出结构致密、分布均匀、位错密度小于103cm- 2的多晶HgI2晶片, 沿垂直(001)方向对长晶面进行机械粗抛光, 接着进行细抛光。对经过机械抛光的多晶HgI2晶片, 初测其厚度, 以达到预定的要求。根据制备探测器的要求, 晶片厚度在150~1500μm比较适宜。
将机械抛光好的实验样品, 用10%KI 溶液在室温300 K下进行约2 min 的化学腐蚀抛光, 然后立即用去离子水反复清洗, 在清洁的气氛中晾干后在抛光面蒸镀金电极(100 nm)。
多晶HgI2探测器结构图
对于作好了电极的多晶碘化汞晶片, 同时在两电极(面电极为金, 底电极为ITO)上用胶体石墨粘接直径约30 μm的钯丝引至外电路;最后, 晶片蒸涂上一层聚对二甲苯为保护膜, 并用硅橡胶粘接安装在聚四氟乙烯基座上, 再密封安装在带窗口的铝盒内。探测器的结构如图所示。
工作原理及特点
工作原理
HgI2 探测器的工作原理与其他半导体探测器相似。当带电粒子或X,γ射线进入HgI2耗尽层时, 它以光电吸收截面把射线能量转换成电荷, 激发产生电子-空穴对并使晶体具有导电性。在探测器上加足够高的电压, 以产生较强的电场(104-105V/cm), 尽可能完全地收集这些电荷。电子-空穴对在外电场作用下, 分别被收集到正、负极, 并产生输出脉冲。
此脉冲的高度正比于所产生的电子-空穴对数目, 即正比于入射射线的能量。输出脉冲经低噪声前置放大器和脉冲放大器整形输出,记录在多道脉冲分析器上。因此, 由收集电荷的多少或脉冲幅度的高低可确定入射射线能量, 而由单位时间的脉冲数可确定入射射线强弱。
碘化汞的特点
碘化汞(HgI2)单晶直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅶ 族化合物半导体,是优异的光电导材料,它具有较大的平均原子序数(有效原子序数62 , 密度6.40 g/cm3 ),禁带宽度很大,为2.13eV,电阻率高为1013Ωcm,这些比CdTe,锗等半导体材料还大。
碘化汞探测器与人们熟知的CdZnTe和CdTe探测器相比,HgI2具有更高的探测效率, 更高的电阻率, 更好的室温操作性能。而且由HgI2探测器构成的高分辨率 X,γ射线谱仪,对低能光子的探测,其探测效率也大大优于Si和Ge探测器。
此外,HgI2晶体是半绝缘体, 其探测器的漏电流很小。而且其探测器电离效率高,能量线性高,能量分辨率高,经高辐射剂量照射后探测器的灵敏度不变(抗辐射性能好、无极化效应),也具有很好的温度特性,可以工作在200-400℃下。
另外用HgI2制备的探测器具有使用寿命长、耐气候变化、低功耗,计数率高,体积小、重量轻、致密性好以及电子学噪声低等特点。由于其具有诸多特性,所以在制备室温核辐射探测器时,碘化汞是一种很好的备选材料。
发展历史
国外
Chepur于1956年首先发现HgI2晶体具有优异的核辐射敏感特性。
Willig和Roth于1971年首次提出采用HgI2制作室温核辐射探测器的设想。
对于HgI2材料探测器的研究,国际上最重要的组织和个人有以色列 Real Time Radiography(RTR)公司和以色列 Hebrew大学(HU)。
以Schieber为代表,他们多年来一直从事HgI2方面的研究,1997年开始转入多晶HgI2厚膜的沉积、特性及 X 射线透视成像和工业无损检测方面的应用。
美国 Varian Ginzton 技术中心,Zentai 及其同事从2002 开始一直从事大面积HgI2多晶探测器的研制以及 X 射线透射成像、实时成像和无损检测方面的应用。
美国 Constellation 技术公司,Lodewijk 等人从 1991年开始从事 HgI2单晶 X 和 γ 射线探测器的研制和材料性能的研究;加利福尼亚Photon Imaging 公司和密西根大学也进行了较多的研究。
其它在这方面也做了一定研究的组织有美国田纳西州 Fisk 大学,日本的 Tohoku 大学,韩国 Inje 大学,釜山国立大学,乌拉圭大学,巴西圣保罗大学等。
国内
国内研究碘化汞的主要机构有:四川大学材料系,也是国内研究最早的,文章发表于 1986
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