实验十二、大规模集存储器的应用.pptx

实验十二 大规模集成存储器的应用 ——印月一、实验目的1．通过对大规模集成存储器的使用，掌握半导体存储器的工作原理、特性及其使用方法。2．应用大规模集成存储器完成简单的应用设计。二、实验设备与器件1．TDS-1002（2002）双踪数字示波器2．THD-2型数字电路实验箱3．Dais单片机开发系统4．紫外光擦除器，万用表等器件：RAM6116、EPROM2732、74LS390、74LS00、NE7555、74LS192、74LS74、CC4013、CD4518、电阻、电容若干。三、实验预习要求1．阅读RAM和ROM的工作原理以及大规模集成存储器的引脚功能。2．熟悉用单片机写入程序的方法。3．自行设计并确定实验电路，选择所需器件。四、实验原理 半导体存储器是一种记忆元件，主要用于存储程序、常数、原始数据、中间结果和最终结果。半导体存储器按功能分类，可分为随机存储器（Random Access Memory，RAM）和只读存储器（Read Only Memory，ROM）两大类。（一）存储器分类1．随机存储器（1）双极型RAM（2）MOS型RAM2．只读存储器（1）掩膜ROM（2）PROM（3）EPROM（4）电可擦除可编程ROM (E2PROM)（5）快速型存储器（Flash Memory）（二）半导体存储器技术指标（1）存储容量（2）最大存取时间（3）存储器功耗（4）可靠性和使用寿命（5）集成度（三）RAM6116和EPROM2716的特性与使用1. RAM6116的特性与使用地址线（A0~A10），数据线（I/O1~I/O8），电源线（VCC）地线（GND）控制线：/CS（片选）、/OE（输出允许）、/WE（写允许）。2.EPROM2732的特性与使用? Al5~A0：地址信号输入引脚，? O7~O0： 双向三态数据总线，?/CE ：片选信号输入引脚，?/OE ：数据输出允许控制信号引脚，?/PGM ：编程脉冲输入线；? Vcc：+5v电源，用于在线的读操作；? VPP：编程电源线，其值因芯片生产厂商而有所不同；? GND：地。 ? NC：空。 五、实验内容及步骤（一）设计一个容量4KB的RAM存储器 利用SRAM6116及译码器74LS138，设计一个存储容量4KB的RAM存储器。要求RAM的地址范围为7C000H~7CFFFH。（二）用4K×8的2732存储器芯片组成8K×8的存储器系统。 利用EPROM2732及译码器74LS138，设计一个存储容量8KB的ROM存储器。要求ROM的地址范围为FC000H~FDFFFH。 （三）用EPROM2732设计一个八路或十六路彩灯控制电路。任务要求：1．自行设计彩灯的输出花型，如：彩灯右移、彩灯左移、彩灯间隔点亮、彩灯从两边往中间逐个点亮再从中间往两边逐个点亮等等，列出彩灯花型真值表。2．根据选定的花型列出输出状态编码表。3．彩灯的闪烁时间可在0.1s到1s之间可调。4．画出总体电路图。5．将设计好的实验电路在数字实验平台上安装，检查连线正确无误后方可开启电源。6．观察并记录彩灯的花型与设计的花型是否相同。方案2：1．用EPROM2732设计一个字符发生器，自己编写字符的编程数据表，再将数据写入EPROM2764中，并用证明设计的正确性。2．用EPROM2732设计一个输出序列011000111的序列信号发生器。3．用EPROM2732、DAC0832和其它电路设计一个音乐发生器。