第三讲晶体三极管 模拟电子技术 知识基础.pptx

§1.3 晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数为什么有孔？小功率管 一、晶体管的结构和符号大功率管中功率管多子浓度高面积大多子浓度很低，且很薄晶体管有三个极、三个区、两个PN结。二、晶体管的放大原理少数载流子的运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流直流电流放大系数交流电流放大系数穿透电流集电结反向电流三、三极管的共射输入特性和输出特性ICIBUCEUBE 实验线路晶体管的三个工作区域状态uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥ UonβiB≥ uBE饱和≥ Uon＜βiB≤ uBE 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO最大集电极电流c-e间击穿电压最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE安全工作区ΔiC讨论一uCE=1V时的iC就是ICM2.7U（BR）CEO由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。讨论二临界饱和时的 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？自测题 1、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） 解：（1）√ （2）×（3）√ （4）× 自测题2、选择正确答案填入空内。A（1）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（2）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100C自测题A（3）PN结加正向电压时，空间电荷区将____ 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽C（4）稳压管的稳压区是其工作在_____。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（5）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_____ 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏B自测题3 、电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。4 、电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA其动态电阻 rD≈UT/ID＝10Ω故动态电流有效值 Id＝Ui/rD≈1mA5、二极管电路如图所示，设二极管导通电压为0.7V，判断图中二极管处于导通还是截止状态，并确定各电路的输出电压Vo。7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 8、电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作