第9章 电力电子器件应用的共性问题 电力电子技术 知识课件 第五版.ppt

第九章;电力电子器件的驱动; 使器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗； 对装置效率、可靠性和安全性有重要意义； 一些保护措施也设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务： 按控制目标要求施加开通或关断信号； 对半控型器件只需提供开通控制信号； 对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。; 驱动电路还要提供电气隔离，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离通常是脉冲变压器;按驱动信号的性质分：电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式：分立元件和专用集成驱动电路。 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路； 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。;典型全控型器件的驱动电路;电流驱动型器件的驱动电路;电流驱动型器件的驱动电路;电流驱动型器件的驱动电路;电流驱动型器件的驱动电路;电流驱动型器件的驱动电路;电流驱动型器件的驱动电路;电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件，栅源极和栅射极间有极间电容，数千皮法； 要求驱动电路输出电阻小，快速建立驱动电压； MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V； 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗； 在栅极串入一低值电阻可减小寄生振荡。;电压驱动型器件的驱动电路;电压驱动型器件的驱动电路;电力电子器件的保护;过电压的产生及保护;过电压的产生及保护;过电流保护;过电流保护;缓冲电路Snubber Circuit;b);缓冲电路Snubber Circuit;缓冲电路Snubber Circuit;电力电子器件的串联和并联使用;晶闸管的串联;晶闸管的串联;晶闸管的并联;电力MOSFET和IGBT并联运行的特点;本章小结;本章小结; IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固 功率模块和功率集成电路??现在电力电子发展的一个共同趋势;THE END