微电子二维材料-浙江大学信息与电子工程学院.PDF

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微电子二维材料-浙江大学信息与电子工程学院

  浙江大学信息与电子工程学院  (2017 )“微电子 + 二维材料”研讨会    国际半导体技术发展路线图(ITRS )2016 年发布报告(ITRS 2.0 )指出:传 统芯片尺寸到2021 年将不再缩小,将关注 3D 芯片等其他新的技术增强计算性 能。高度集成芯片意味着它需要的处理器不仅是逻辑和缓存,也包括内存、功率 调节、GPS 模拟组件、电池以及Wi-Fi 无线通信等。半导体微电子的短期与长期 发展面临众多挑战:硅基 CMOS、DRAM 、SRAM 和高密度非易失存储尺寸进 一步缩小,高迁移率沟道材料的实现,先进多栅结构的实现,新存储结构的研发 与实现,新器件、结构和材料的可靠性,功耗下降以及多种功能的集成等。 石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMDs )、h-BN、黑磷、硅烯等二维原子晶 体层状材料具有独特的光电特性,比如石墨烯的极高载流子迁移率和热导性能 等,TMDs 的能谷、自旋电子态等物性,原子级平整的h-BN 的电绝缘性,黑磷 材料随层数变化的能隙可调性、各项异性、旋光性等,硅烯的量子自旋霍尔效应 等。二维材料在信息、微纳电子等方面具有潜在的应用前景,对其特性进行操控, 可开发出新型的电子学、光电子器件;二维材料的平面特征,使其更易于集成于 现有的半导体工艺技术。 值此浙江大学信息与电子工程学院60 年院庆之际,针对将二维材料的独特 的光电特性融合于半导体未来技术的发展,浙江大学“浙江省先进微纳电子器件 智能系统及应用重点实验室”和浙江大学校级超净实验室“微纳制造与研究中心” 定于 2017 年 4 月 21 日-23 日在浙江大学召开 “IEEE EDS Hangzhou Chapter Microelectronics + 2D Materials Workshop” (IEEE EDS 学会杭州分会“微电子 + 二维材料”专题研讨会) ,采用专家主题演讲和互动交流等方式进行广泛、深入 的研讨和交流。本次研讨会研讨的主题主要包括:(1)半导体技术发展面临的挑 战和未来发展方向,(2 )高品质二维材料的可控制备和基本物性,(3 )二维材料 光电子器件及其与半导体技术的集成等。 会议地点:杭州浙江大学玉泉校区 研讨会召集人:徐明生 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室 浙江大学微纳制造与研究中心(微纳加工中心) 2017 年3 月18 日 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室 浙江大学信电学院 60 年院庆   (2017)“微电子+二维材料”研讨会日程 会议地点:浙江大学玉泉校区硅材料国家重点实验室 4 月 22 日(星期六) 时间  报告题目  报告人  单位  徐明生  开幕 李尔平(教授)、章献民(院长)、郝 8:20-8:50 跃(院士)等  Emerging opportunities in 8:50-9:20 two-dimensional material 张远波 复旦大学 research 9:20-9:50 TBA 许建斌 香港中文大学 9:50-10:00 浙江大学微纳加工中心介绍

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