电子学II第04回随堂讲义教师用本.doc

第4回　 9-1~9-3 第1部分　重點整理 1. 電晶體共射極式，相當於FET中的　共源極式　；又共集極式猶如　共汲極式　；共基極式猶如　共閘極式　。 2. JFET工作於　逆向　偏壓，可作　壓控電阻　及　恆流源　，而空乏型MOSFET工作於順向偏壓，猶如　增強型　MOSFET。 3. 增強型MOSFET可應用於　數位邏輯開關　；空乏型MOSFET可應用於　線性放大　。 4. id＝gmvgs＋其中gm＝，rd＝，又μ＝　gmrd　， 而μ為放大率。 5. 共源極式相位為　反相180°　，三種組態中適合用於　放大器　。 6. 如右圖所示，無源極電阻RS，則Ro＝　RD // rd　，Av＝　－gm(RD // rd)　。 7. 如右圖所示，有源極電阻RS，則Ro＝　RD // [rd＋(1＋μ)Rs]　， Av＝，當RS(1＋μ) RD＋rd時， 則Av≒，又當rd＝∞時，Av＝。 8. 如右圖所示，有RS當源極電阻反射到汲極時，被放大　1＋μ　倍。 9. 如右圖所示，Ro＝　RD // RL // rd　，Av＝　－gm(RD // RL // rd)　。 10. JFET、空乏型MOSFET：gm＝，增強型MOSFET：gm＝　2K(VGS－Vth)　。 11. 當FET做線性放大時，須工作於　飽和區　。若做AGC自動增益控制時，可工作於　歐姆區　。 第2部分　隨堂練習（題目前有「＊。 ＊（ C ） 2. 如圖(1)所示電路，其參數值gm＝2m，rd＝40kΩ，若RD＝20kΩ，則電壓增益Av為　(A)－57　(B)－38　(C)－26.6　(D)－20.5。 圖(1)圖(2)圖(3) Ω。 ＊（ C ） 5. 承上題，則該電路的電壓增益約為　(A)－2.67　(B)－4　(C)－8　　(D)－10。 ＊（ D ） 6. 如圖(3)所示之場效電晶體參數rd＝20kΩ，gm＝2m，則此電路的低頻電壓增益為　(A)－600　(B)－200　(C)－60　(D)－20。 （ C ） 7. FET小信號計算時，電容C須　(A)開路　(B)不變　(C)短路　(D)以上皆非。 （ C ） 8. 如圖(4)所示電路之偏壓方式為　(A)分壓偏壓　(B)零偏壓　(C)自給偏壓　(D)汲極回授。 圖(4) 圖(5) ＊（ C ） 9. 如圖(5)所示為共源極放大器，若場效應電晶體參數rd＝30kΩ、gm＝ 2，則此電路的中頻電壓增益為　(A)－60　(B)60　(C)－15 (D)15。 ＊（ A ）10. 如圖(6)所示之共源極放大器，設gm＝1m，rd＝20kΩ，其電壓增益為　(A)－10　(B)－20　(C)10　(D)20。 圖(6) 圖(7) 圖(8) ＊（ A ）11. 如圖(7)所示之場效電晶體，gm＝10m，rd＝40kΩ，試求值為　 (A)－57　(B)－46　(C)－40　(D)－33。 ＊（ B ）12. 如圖(8)所示之場效電晶體（JFET）放大器電路，若JFET之輸出電阻rdRD，其中rd可忽略，轉移電導gm＝6（mA/V），則放大器的電壓增益Av＝Vo/Vi與下列何者最接近？　(A)－3　(B)－5　(C)－7　(D)－10。 ＊（ A ）13. 下列何種組態電路具有反相180(的特性？　(A)共源極式　(B)共汲極式　(C)共閘極式　(D)共基極式。 ＊（ B ）14. 已知　gm　＝，rd＝25kΩ，則μ為　(A)10　(B)100　(C)90　(D)1000。 ＊（ B ）15. 溫度升高時，則gm將　(A)升高　(B)下降　(C)不變　(D)以上皆非。 ＊（ B ）16. 增強型MOSFET，K＝0.2mA/V2，Vth＝2V，當VGS＝7V時gm為　(A)1　(B)2　(C)3　(D)4　m。 （ C ）17. id＝gmvgs＋，故rd為　(A) 　(B)gmvgs　(C) 　(D)μ。 （ B ）18. 下列何者可應用為數位開關？　(A)空乏型　(B)增強型　(C)JFET　(D)以上皆可。 （ C ）19. 當FET呈線性放大時，須工作於　(A)截止區　(B)歐姆區　(C)飽和區　(D)崩潰區。 ＊（ A ）20. 如圖(9)所示之gm＝3m，rd＝20kΩ，且Av＝－30，求RD為　(A)20　(B)10　(C)40　(D)30　kΩ。 圖(9) 圖(10) 圖(11) ＊（ D ）21. 如圖(10)所示，則Vp為　(A)0　(B)－5　(C)－2　(D)－6　V。 （ A ）22. id＝gmvgs＋，故gm為　(A)　(B)　(C) (D)idrd。 ＊（ B ）