- 1、本文档共37页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
泰州梅兰硅材料有限公司年产10万吨有机硅技术江苏环保公众网
资质证书编号:国环评证甲字第1901号
建设单位:华灿光电(苏州)有限公司
评价单位:环境保护部南京环境科学研究所
二〇一三年一月
本简本内容由环境保护部南京环境科学研究所编制,并经华灿光电(苏州)有限公司有限公司
前言 1
一、项目概况 1
二、建设项目周围环境现状 4
三、工程建设的环境影响预测及拟采取的主要措施与效果 7
四、公众参与 18
五、环境影响评价结论要点 18
六、联系方式 19
前言
《有限公司》环境影响报告书的编制已。按照《环境影响评价公众参与暂行办法》的有关规定,现将环境影响评价中的有关内容进行公示,欢迎公众参与本项目的环境保护工作。
一、项目概况
1、华灿光电股份有限公司创立于2005年11月,2011年整体改制为股份有限公司。主营范围:半导体材料与器件、电子材料与器件、半导体照明设备的设计、制造、销售及进出口(不含国家禁止或限制进出口的货物或技术)。2011年公司营业收入47400万元,营业利润13455万元。华灿光电(苏州)有限公司是由华灿光电股份有限公司投资设立的全资子公司,公司位于江苏省苏州市张家港经济技术开发区晨丰公路,成立于2012年9月。本项目由华灿光电(苏州)有限公司投资建设,项目建成后正常年年产42万片高品质白光外延片、2394000万颗LED芯片。
华灿光电股份有限公司是国内领先的LED芯片供应商,本项目依托母公司技术和营销资源,具有良好的市场发展前景。目前全球LED照明市场需求量呈持续增长的趋势,应用领域越来越广,本项目的实施将巩固并提高华灿光电公司在LED芯片全球市场的占有率,实现更好的经济效益。、工程基本信息
项目名称 LED外延片芯片项目 建设地点 张家港经济技术开发区北区拓展区内,南临晨丰公路。 建设性质 新建 工作制度 年工作日数为350天,四班三运转制,每班工作时间8h 总投资 186699.2万元人民币,其中环保投资1040万元,占总投资的0.56% 总占地面积 总占地面积112015.2m2;绿化面积14337.9m2,绿化率12.8% 员工人数 厂内职工总人数921人 本项目场址位于张家港经济技术开发区内,南至晨丰公路,北至彩虹路,东、西面为园区规划用地。项目场址位于张家港经济技术开发区,南至晨丰公路,北至彩虹路,东、西面为园区规划用地。拟建项目所在地为规划工业用地,场地基本平整到位。表1本项目工程组成一览表工程 建设名称 设计能力(m2) 备注 贮运
工程 化学品库 1170 单层建筑。分为有机化学品库、碱类化学品库、酸类化学品库、特气库、恒温库、芯片辅料库、外延辅料库、危废暂存室,另设报警阀室。位于厂区西部。 其中 有机化学品库 430.9 存放乙醇、丙酮、异丙醇。 碱类化学品库 120 存放KOH、NaOH。 酸类化学品库 172.5 存放硫酸、盐酸、硝酸等。 特气库 112.5 存放氯气、笑气、硅烷、氧气等。 恒温库 60 存放双氧水、氨水、NH4F、光刻胶等。 芯片辅料库 100 存放芯片生产需特殊贮存的辅料。 外延辅料库 80.6 存放外延生产MO源及需特殊贮存辅料。 危废暂存室 73.5 存放生产过程产生的危废等。 气站 供氨站 375 存放3只11t氨气槽车(5个车位) 供氮站 600 设置2×50m3液氮储罐及气化设施 供氢站 600 存放2辆氢气鱼雷车(6个车位) 气柜间 2×38 分别位于外延片及芯片厂房一楼,存放使用中特气钢瓶。 公用
工程 110KV变电站 2台8000KVA,648m2 位于厂区北部,二层建筑。 动力间 3240 主要布置纯水制备间、工艺冷却水站、锅炉房、空压机房、冷冻机房、配电间、UPS间等。 其中 纯水制备间 24m3/h 位于动力间。 冷却塔 250m3/h 3台2016m3/h冷却塔。位于动力厂房屋面。 空压机房 35m3/min 3台20m3/min空压机(两用一备)。位于厂区中部动力间内。 冷冻机房 3台制冷机(1备),
单台制冷量2000RT 位于动力间。 锅炉房 2×2.8MW热水锅炉+4t/h蒸汽锅炉 位于动力站一楼。天然气耗量约150万Nm3。 洁净厂房通风系统 8套风量总470000 m3/h 外延厂房一楼及芯片厂房一楼和二楼 1、生产工艺流程图
本项目高亮度GaN基白光LED外延片采用MOCVD设备进行生长,其主要原材料包括蓝宝石衬底片、MO源、氨气(NH3)、浓度为200ppm的硅烷(SiH4)等。外延生长环节的工艺流程示意如下图:
2、工艺流程说明
(1)检验及清洗
本项目采用蓝宝石单晶片作为衬底,外延生长前首先需要检验单晶片是否合格。采用显微镜检查蓝宝石基片有
文档评论(0)