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清华大学本科生期末考试试题纸
《电子电路与系统基础I》2011 年春季学期期末考试试题
班级 学号 姓名
1、填空题：（43 分）。
a) 填表列写NMOSFET 三个工作区的伏安特性方程，这里可不考虑厄利电压的影响：
工作区域 条件 伏安特性方程
截止区 V V I 0
GS TH D
欧姆区
恒流区
b) 已知某 NMOSFET 工作在恒流区，其栅源控制电压为 ，漏极电流为 ，厄利
V I
GS 0 D 0
电压为 ，则恒流区跨导 的表达式为（ ），跨导器输出电阻 的表达
V g r
E m ds
式为（ ）。已知NMOSFET 的阈值电压为 。
V
TH
c) 双极型晶体管（BJT）名称中的双极（Bipolar）是什么含义？
（ ）
d) 已知 BJT 基极输入电流为 ，则发射结交流小信号电阻 的表达式为
I r
B 0 be
（ ）。已知热电压为 。
v
T
e) 工作于恒流区的BJT 晶体管有三种组态：共射CE，共基CB 和共集CC 。其中，（ ）
组态可实现电压缓冲功能，（ ）组态可实现电流缓冲功能，（ ）组态可实现
电压信号的反相放大功能。对于共基组态，其输入电阻为（ ），其输出电阻为
（ ）。已知BJT 共射组态小信号等效电路模型参数为 ， ， 。
rbe rce g m
f) 某电压放大器的电压增益为 100，通过（ ）负反馈可使其更接近于理想压
控压源。加入负反馈网络前，放大器线性范围为1mV；加入负反馈网络后，电压
增益下降为 10，那么理论上线性范围将扩展为 （ ）mV。假设放大器的非
线性由三次非线性项主导。
g) A 类放大器的最大理论效率为（ ）%，B 类放大器的最大理论效率为（ ）% 。
h) 某ADC 的采样频率为8kHz，输入信号频率范围为0-20kH
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