共基极组态CB.ppt

當電晶體的基-射極兩端不施予偏壓時，基極電流為零，使得C-E兩端產生相當高的阻抗，猶如開路一般，在實用上適合作為數位電路或電子開關的OFF。 雙極性接面電晶體 NPN型 PNP型 NPN 型與PNP 型電晶體結構與符號 N N P P P N B E C B E C 摻雜濃度：射極（E）基極（B）集極（C）。 材料寬度：集極（C）射極（E）基極（B）。 2SCXXX 高頻 2SDXXX 低頻 2SAXXX 高頻 2SBXXX 低頻 射極端摻入較重的雜質濃度， 集極端做輕摻雜並加大其寬度 摻雜濃度：射極（E）基極（B）集極（C）。 材料寬度：集極（C）射極（E）基極（B）。 基極（B）為控制載子數量 電流控制元件 工作時同時具有電子流與電洞流兩種電流成分 ，因此稱為雙極性電晶體 E和C不可對調使用(增益、耐壓降低)。 不可兩個二極體接成電晶體使用。 射極（E）為發射多數載子 集極（C）為收集載子 電晶體的工作模式 工作模式 B-E 接面 B-C 接面 功能 主動模式 順向偏壓 逆向偏壓 訊號放大 飽和模式 順向偏壓 順向偏壓 開關或數位電路 截止模式 逆向偏壓 逆向偏壓 主動模式，主要是用來做訊號放大使用。 飽和/截止模式，主要是用來做開關電路。 工作區PNP電晶體的電流成分 VEB VCB IE:以多數載子(電洞)為主，往B流動 IB:少數電洞在B與電子結合，形成基極電流，電流量以μA計算 電洞 αIE ICO CB逆偏漏電流，以ICO或ICBO表示，電流量很小，通常以nA計算 IC:應該包含多數載子電流與漏電電流；IC=αIE+Ico IE=IB+IC CB電路:EB為輸入端，CB為輸出端 B為輸入與輸出的共接點 電晶體三隻接腳中任一端共用，其他兩端分別為輸入與輸出。 輸出端 輸入端 共接點 三種組態放大電路: 共基極（ CB）、共射極（CE）和共集極（CC） 放大器 電晶體的組態 CC電路:BC為輸入端，EC為輸出端 C為輸入與輸出的共接點 CE電路:BE為輸入端，CE為輸出端 E為輸入與輸出的共接點 在VCB 固定下，當VEB 大於二極體順向切入電壓時， IE 隨VEB 增加而增加。另外，在VEB 固定下，當VCB 逆向偏壓增加時，會因厄利效應的影響，使得IE 略微增加。 CB放大電路 輸入特性曲線 CB放大電路 輸出特性曲線 輸出特性曲線是討論VCB與Ic間的關係，除了不正常操作導致電晶體崩潰外，共可分成工作區、飽和區、截止區等三個區域。 輸出與輸入同相位 1.工作區 當VEB 順向偏壓、VCB 逆向偏壓時，電晶體在主動模式，用於訊號放大。 2.飽和區 當VEB 與VCB 皆為順向偏壓，Ic 達到極值，此區域電晶體適合作為開關的ON。 3.截止區 VEB 與VCB 均為逆向偏壓，射極電流IE=0，電路進入截止區，可作為開關的OFF。 Ic=αIE+Ico≒αIE Ic=Ico CB放大電路電路特性： 7.穩定度與高頻響應均佳。 3.電壓增益高。 1.輸入阻抗甚小，其阻抗Ri 約為數十Ω。 2.輸出阻抗甚大，其阻抗Ro 約為數百kΩ 。 5.功率增益中等。 6.輸出與輸入訊號相位相同，為同相放大器。 4.電流增益低。 ≦1 CE放大電路 NPN 工作在主動區時，Vc VB VE 。 訊號由基極輸入，集極輸出，射極共用接地， 具有電壓與電流雙重增益，所以功率增益最高， 為目前最廣泛使用的放大器。 輸入特性曲線 CE放大電路 輸出特性曲線是討論輸出電壓VCE 與輸出電流Ic 間的關係，除了不正 常操作導致電晶體崩潰外，共可分成 工作區、飽和區、截止區等三個區域。 輸出特性曲線 1.工作區 VBE 順偏、VCB 逆偏，電晶體在主動模式，用於訊號放大。 電壓、電流或功率放大有不錯的增益轉換比，應用上廣泛。 2.飽和區 VBE 與VCB 皆為順向偏壓，Ic 達極限值，且不受IB 的控制， 無法做訊號放大。 3.截止區 基極開路（ IB =0）時，電晶體進入截止區。 Ic=βIB+ICEO Ic=ICEO CE放大電路特性 1.輸入阻抗中等，Ri 約為數kΩ。 2.輸出阻抗中等，Ro 約為數十kΩ 。 3.電壓增益高。 4.電流增益高。 5.功率增益高。 6.輸出與輸入訊號相位相反，為反相放大器。 因負載於射極且輸出訊號與輸入訊號大小相等，方向相同，又稱為射極隨耦器。 訊號由基極輸入，射極輸出，集極共用接地， CC放大電路 輸入特性曲線 輸出特性曲線是討論輸出電壓VCE 與輸出電流IE 間的關係，除了不正 常操作導致電晶體崩潰外，可分成 工作區、飽和區、截止區三個區域。 輸出特性曲線 1.工作區 VBE 順向偏壓、VC