击穿电压2PN结的特性.ppt

* 小结： iD 受控于uGS : uGS ? 则 iD ?直至iD =0 iD 受uDS影响 : uDS?则iD 先增随后近似不变 预夹断前uDS?则iD ? 以预夹断状态为分界线 预夹断后uDS?则iD 不变 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （2） 工作原理 2. N沟道增强型MOSFET * 特别注意： 区别夹断与预夹断： 夹断时： uGS ? UGS(th) ，iD =0 预夹断时：uGD = UGS(th) (或uGS - uDS = UGS(th)) iD ?0 预夹断前：uGD UGS(th) (或uGS - uDS UGS(th) ) 预夹断后：uGD UGS(th) (或uGS - uDS UGS(th) ) 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （2） 工作原理 2. N沟道增强型MOSFET * ① 输出特性曲线 指uGS 为参变量，iD随uDS变化的关系曲线 （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 2. N沟道增强型MOSFET * 输出特性曲线主要分三区： 截止区 放大区 可变电阻区 （1） 输出特性曲线 可变电阻区 放大区 截止区 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * UGS (th)=4V （1） 输出特性曲线-----截止区 对应夹断状态（反型层还未形成） 特点：uGS ? UGS (th) iD=0 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 对应管子预夹断后的状态 特点： 受控放大 uGS ?则 iD ? （1） 输出特性曲线-----放大区 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 对应预夹断前状态 特点： 固定uGS，uDS?则iD近似线性? -----电阻特性 固定uDS，uGS变化则阻值变化 -----变阻特性 （1） 输出特性曲线-----可变电阻区 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 指uDS 为参变量，iD随uGS变化的关系曲线 ②转移特性曲线 开启电压UGS(th) 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 开启电压UGS(th) ②转移特性曲线 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） （3）特性曲线（以增强型NMOS管为例） * uBS ?0且uBS 0时iD 受控于uBS 的特性 衬调效应又称： 背栅效应 体效应 (4) 衬调效应 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 2. N沟道增强型MOSFET * 耗尽型NMOS管 存在原始导电沟道的FET管 uGS =0时管子内已有的导电通道 转移特性 输出特性 3. N沟道耗尽型MOSFET 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） * 1.5.3 场效应管工作状态分析 如何确定场效应管是否工作在放大区呢？ 第一步：判别场效应管是否导通？ 耗尽型：导通界限是UGS(off) N沟道： P沟道： 增强型：导通界限是UGS(th) N沟道： P沟道： * 1.5.3 场效应管工作状态分析 第二步：判别场效应管工作于放大区还是可变电阻区? 实质：判断预夹断前还是预夹断后，放大区的判断如下 N沟道： P沟道： * 1.5.3 场效应管工作状态分析 例1-4 电路如图1-49所示， 确定其工作区域 * 饱和漏极电流IDSS : uGS=0时的iD 值 夹断电压UGS(off) : iD ?0时的uGS值 开启电压UGS(th) : 增强型管刚开始导电时的uGS值 直流输入电阻RGS: RGS = UGS / IG 耗尽管参数 增强管参数 1.5.5 场效应管的参数及特点 1. 主要参数 （1）直流参数: * 增强型 耗尽型 定义： ★跨导 gm 1.5.