徐承福 光刻及器件制备.ppt

IGBT Group 1 2011-10-14 Reticle ReMa blades Total dose at wafer one shot on wafer IGBT Group 1 2011-10-14 Reticle ReMa blades Total dose at wafer one shot on wafer IGBT Group 1 2011-10-14 Reticle ReMa blades Total dose at wafer one shot on wafer IGBT Group 1 2011-10-14 Reticle ReMa blades Total dose at wafer one shot on wafer IGBT Group 1 2011-10-14 Reticle ReMa blades Total dose at wafer one shot on wafer IGBT Group 1 2011-10-14 Overlay(OVL): The layer-to-layer alignment performance. P0163_181_179A Product ID Current layer Pre layer P1043_156_130X_133Y OVL recipe Xa Xb OVL mark and measurement In left chart, OVLx=(Xa-Xb)/2 IGBT Group 1 2011-10-14 W W SiO2 Bare Si Metal PR PR Box in Box Frame in Frame Bar in Bar Here are the 3 normal types of OVL mark for Accent OVL machine. The Bar-in-bar mark is SMIC standard in Line A IGBT Group 1 2011-10-14 Xa Xb In right picture, OVL X=(Xa-Xb)/2 IGBT Group 1 2011-10-14 Shift or translation Scaling or expansion Orthogonality 1st Layer AA Layer 1st layer AA layer 1st Layer AA Layer rotation XY XY IGBT Group 1 2011-10-14 Rotation Mag. Asy. Mag Asy. Rot. IGBT Group 1 2011-10-14 后烘（Post-exposure back） 光线照射到光刻胶与晶圆的界面上会产生部分反射。反射光与入射光会叠加形成驻波。 后烘会部分消除这种效应 采用宽带光源或厚胶工艺驻波效应可忽略 IGBT Group 1 2011-10-14 显影 表面处理 涂胶 前烘 对准和曝光 显影 图形检查 坚膜 用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影，其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中。 常见的显影液有NaOH (Shipley 351), KOH (Shipley 606) ,TMAH (Shipley CD-26, MF-321, OCG 945)等。 需要注意的是：所有的这些显影液都会刻蚀铝 实验室现有显影机台： SUSS 显影机 手动显影操作台 TRACK IGBT Group 1 2011-10-14 坚膜 好处： ? 能够改善光刻胶的抗刻蚀、注入能力。 ? 改善光刻胶与晶圆表面的黏附性，有利于后续湿法腐蚀工艺。 改善光刻胶中存在的针孔。 Substrate Substrate PR PR PR Pinhole Fill by Thermal Flow 坚膜就是通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可以增加胶层的抗刻蚀能力，坚膜并不是一道必需的工艺。 表面处理 涂胶 前烘 对准和曝光 显影 图形检查 坚膜 弊端： ?可能导致光刻胶流动，使图形精度减低。 ?通常会增加将来去胶的难度。 IGBT Group 1 2011-10-14 图形转移加工后，光刻胶已完成它的使命，需要清除掉。去胶有湿法与干法两种。 湿法： 是用各种酸碱类溶液或有机溶剂将胶层腐蚀掉，最普通的腐蚀溶剂是丙酮，它可以溶解绝大多数光刻胶。 干法： 用氧气等离子体刻蚀去胶（强氧化去胶） 注意：不能用于带有Ag、Cu、ZrO、parylene和聚酰亚胺的基片 去胶 (Stripping) IGBT Group 1 2011-10-14 2.InP基量子点激光器制备工艺