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[材料科学]第七章-其它化学合成方法3
2、光刻与刻蚀 光刻与刻蚀是一种图形复印和刻蚀相结合的精密表面加工技术 就是要按照器件设计的要求,在半导体薄膜上面,形成与掩模版完全对应的几何图形,以实现选择性刻蚀以获得相应结构的目的 光刻工艺大致包括涂胶(匀胶或甩胶),前烘,曝光,显影,坚膜等工序。 光刻与刻蚀 硅晶片的光刻与刻蚀工艺流程示意图 1、光刻的具体工艺 甩胶工序是在晶片表面形成适当厚度的均匀的光刻胶 前烘则使光刻胶中的水分蒸干 曝光则是让紫外光透过模板使光刻胶的化学性质发生改变,使相应部分能够被显影液溶解 显影则是要将曝光过后的胶用显影液处理过,让该去掉的地方被溶解掉。 坚膜工艺是要使光刻胶在较高的温度下变得坚固紧密,在后面的腐蚀工艺中能够相当地牢靠 2、刻蚀 刻蚀包括化学腐蚀和干法刻蚀 化学腐蚀 化学腐蚀液通过化学反应腐蚀掉需要去掉的部分 不需要被腐蚀的地方有光刻胶或介质掩模保护 简单易行,缺点是腐蚀控制不精确,有侧蚀问题 干法刻蚀 反应气体在等离子体条件下形成活化原子,在电场作用下定向运动与半导体材料进行化学反应,反应生成物为气体被排出,达到定向刻蚀的目的 通常有RIE(反应离子刻蚀),RIBE(反应离子束刻蚀),ICP(感应耦合型等离子体)等方法 干法刻蚀一般需要用光刻胶或SiO2等介质膜作为掩模 干法刻蚀的突出优点是没有侧蚀问题,而且腐蚀深度可以精确控制 3、溅射成膜和离子镀 薄膜是在基片上形成厚度从单原子层到约5?m的物质层。 溅射:氩气电离后作为溅射气体的离子源,通过阴极上方的强电场被加速,在轰击靶阴极时,靶原子溅射到空间的现象。利用溅射形成薄膜的方法称为射法。 溅射机制:分热蒸发机制和动量转移机制 热蒸发机制:荷能离子的轰击导致靶表面局部产生高温,从而使靶物质的原子蒸发。机制存在缺陷:不能解许多的实验现象:如溅射粒子的角度分布与余弦规则的偏离,溅射率与入射离子的质量有关,溅射率随入射角而变化。 动量转移机制: 入射离子通过碰撞过程与靶原子间产生动量的传递。 溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射和反应溅射 直流溅射 用平板型装置,在真空内以欲镀材料为阴极,基板放在阳极上。预抽至高真空后,充入10Pa的工作气体,施加直流电压,产生异常辉光放电。放电气体离子受阴极暗区电位降加速轰击靶表面,溅射粒子沉积在基片表面形成薄膜。 直流溅射法的缺点: 溅射过程产生的二次电子经电场加速碰撞薄膜的表面从而损伤膜面。也造成基体表面升温,需对基体冷却。仅限于使用金属靶或电阻率在10 以下的非金属靶。制成的薄膜中含有较多的气体分子,薄膜的生长速度太慢。 溅射制膜的应用:可用于单质膜、合金化合物膜;多晶膜、单晶膜或非晶膜。 离子镀 离子镀以蒸发源为阳极,在压力的氩气中向基板施加很高的负电压,发生辉光放电。电离后的蒸发原子被静电加速射到基板上,形成优异的薄膜。从利用低温等离子体的离子、激发粒子成膜的特点来看,这方法优于普通的真空气相沉积法。 4、等离子体化学气相沉积(PCVD) 在低温等离子体中,使原料气体感应而发生等离子体化学反应,在基板上析出固相反应生成物薄膜。 (1)PCVD技术的基本特性 化学气相沉积CVD反应式: 根据激活反应体系采用的能量不同,分成热CVD、PCVD、光CVD和激光CVD等。 A(g)+B(g)=C(s)+D(g) PVCD技术 通过反应气体放电来制备薄膜的,从根本上改变了反应体系的能量供给方式,有效地利用非平衡等离子体的反应特性。 气压为10-1-102Pa,电子温度比气体温度高1-2个数量级,这种非平衡状态适合于薄膜技术。气体温度低(几百K),薄膜沉积过程所需的分解、电离等反应似乎不会发生,但电子温度高达104K,有足够的能量通过碰撞过程使气体分子激发,分解、电离,结果产生大量反应活性物种而整个体系仍保持较低的温度。 PCVD可实现工艺过程的低温化。 PCVD薄膜形成过程见图 PCVD技术的应用 适用于所有材料领域,主要是电子、光学、能源、机械材料所需的无机或高分子材料的薄膜制备和表面改性,有独特的潜力,已广泛应用。 非晶态膜的制备,非晶态硅、非晶态锗、非晶态碳膜 半导体薄膜:GaN、 AlN、 GaAs 、SnO2、 TiO2 机加工领域:表面硬化或美观用的涂层,提高零部件的使用寿命。 金属表面改性 在金属材料加工完成后,对其表面进行等离子体碳化、氮化,以提高材料表面硬度、耐磨及耐蚀性。 电感偶合式等离子体氮化 高聚物的表面改性 ??? 等离子体法可改善高聚物的亲水-疏水性、黏结性、耐热耐蚀性和抗辐射等表面特性,赋予其特殊的光—电性和生物适应性等。改性层极薄,一般为单分子膜,不会影响材料的固有性能;为低温(300℃以下)气相法干处理,适用面广、操作方便、无污染。如用氧等离子体处理,高聚物表面可生成含氧基团,改善其润湿
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